Рус Бел Eng De Cn Es
Бринкевич Дмитрий Иванович

Бринкевич Дмитрий Иванович

Родился 14 июля 1956 г. в г.п. Ивье Гродненской области
В 1978 году окончил факультет радиофизики и электроники Белорусского государственного университета и был принят на работу в должности инженера на кафедру физики полупроводников. С 1984 г. работает в лаборатории спектроскопии полупроводников младшим научным сотрудником, затем старшим и ведущим научным сотрудником. В 1989 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему "Радиационные и термические дефекты в кремнии, легированном изовалентными примесями". Автор более 250 публикаций, в том числе монографии «Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии» (2003 г.)

Занимаемая должность:
Ведущий научный сотрудник
Степень, ученое звание:
Кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник
Контактная информация:
(+37517)209-50-51;   e-mail Brinkevich@bsu.by
Научные интересы:
Спектроскопия кремния, окисел кремния, дефектно-примесная инженерия в кремнии

  1. Бринкевич Д.И., Вабищевич С.А., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. - Новополоцк: ПГУ, 2005. — 130 с.;
  2. Brinkevich D.I., Odzhaev V.B., Prosolovich V.S., Yankovski Yu.N. Radiation defects formation in silicon at high energy implantation // VACUUM. Surface engineering & vacuum technology. – 2005. – V.78, № 2 (357). – P.251-254.
  3. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Перераспределение примесей при отжиге кремния, имплантированного бором и иттербием // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2006. – № 8. – С.80-83.
  4. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Партыка Я. Электрофизические свойства КМОП-структур, созданных высокоэнергетичной ионной имплантацией // Przeglad elektrotechniczny. – 2010. – R.86, № 7. – C.184-186. 
  5. Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Особенности дефектообразования в кремнии, имплантированном ионами с удельной энергией ~ 1 МэВ/нуклон // Неорганические материалы. – 2010. – Т.46, № 12. – C.1413-1417.    (Vabishchevich S.A., Vabishchevich N.V., Brinkevich D.I., Prosolovich V.S., Yankovskii Yu.N. Defect formation in silicon implanted with ~ 1 MeV/nucleon ions // Inorganic materials. – 2010. – V.46, № 12. – P.1281-1284)  
  6. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С. Ростовые кислородсодержащие дефекты в кремнии, выращенном в слабом вертикальном магнитном поле // Микроэлектроника. – 2011. – Т.40, № 4. – C.309-312. (Brinkevich D.I., Odzhaev V.B., Petliskii A.N., Prosolovich V.S. Growth oxygen-containing defects in silicon grown in a weak vertical magnetic field // Russian Microelectronics – 2011. – V.40, №  4. – P.290-293)  
  7. Vabishchevich N., Brinkevich D., Volobuev V., Lukashevich M., Prosolovich V., Sidorenko Yu., Odzhaev V., Partyka J. Structure and electron-transport properties of photoresist implanted by Sb+ ions // Acta Physica Polonica A. – 2011. – V.120, № 1. – P.46-48.
  8. Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Бринкевич Д.И. Основы современных технологических процессов. Курс лекций. – Минск: БГУ, 2011 – 135 с.
  9. Бринкевич Д.И.,  Вабищевич Н.В., Просолович В.С. Микромеханические свойства эпитаксиальных слоев GaP, легированных редкоземельным элементом диспрозием // Неорганические материалы. – 2012. – Т.48, № 7. – С. .
)