-
Белько В.И., Лемешевский С.В., Чуйко М.М. Численное моделирование высокоэнергетической ионной имплантации с использованием уравнений Фоккера – Планка // Журн. Белорус. гос. ун-та. Математика. Информатика. 2017. № 2. С. 28–36.
-
Белько, В. И. Радиационная стойкость наноразмерных структур: исследование методом молекулярной динамики / В. И. Белько, В. Е. Гусаков, Н. Н. Дорожкин // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск: БГУ, 2016. – С. 147–150.
-
3. Belko V.I., Dorozhkin N.N., Gusakov V.E. Radiation damage in Si nanostructures: Molecular dynamic simulations // Proc. of International Conference “Nanomeeting-2017”. – 30 May - 2 June, Minsk, 2017. – P.58-60.
-
Белько, В. И. Адаптация пакетов квантовой химии для рас-четов на GPU электронной структуры твердотельных систем / В.Е. Гусаков, В.И. Белько, Н.Н. Дорожкин // Материалы 11 международной конференции “Взаимодействие излучений с твердым телом”, Минск, 23-25 сентября 2015. – с. 392-394.
-
В.И. Белько, Л.Ф. Макаренко Моделирование тепловых и электронных процессов в наноструктурах /"ТЕНДЕНЦИИ ИНТЕГРАЦИИ ОБРАЗОВАНИЯ, НАУКИ И БИЗНЕСА", Сборник материалов Белорусско-Литовской биржи деловых контактов, Минск, 7–28 ноября 2014 года, 2014, с. 12-14.
-
Гусаков В.Е., Белько В.И., Дорожкин Н.Н. «Энергия образования и барьеры миграции собственных точечных дефектов в кремниевых нанопроводах: квантовохимическое исследование» // Труды XXIV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела". Севастополь, 7 июля - 12 июля 2014г. С. 478-481.
-
Belko V.I. Modeling of thermal transport in electronic nano-devices using methods of molecular dynamics // Материалы III Белорусско-Корейского форума «Наука. Инновации. Производство». Минск, 16–17 октября 2014 г. С.68-69.
-
A. Burenkov, M. Sekowski, V. Belko, H. Ryssel. Angular distributions of sputtered silicon at grazing gallium ion beam incidence // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Research B, Vol. 272, 2012. p. 23-27.
-
Белько В.И. Моделирование теплопроводности в наноразмерных структурах с использованием метода молекулярной динамики // Тезисы докладов III Международной научной конференции «Математическое моделирование и дифференциальные уравнения», Брест, 17-22 сентября 2012 г.
-
Белько В.И., Лемешевский С.В., Чуйко М.М. Математическое моделирование кластеризации дефектов в ионно-имплантированном кремнии // «XI Белорусская математическая конференция»: Тез. докл. Междунар. науч. конф. Минск, 5 – 9 ноября 2012 г. — Часть 3. — Мн.: Институт математики НАН Беларуси, 2012. — С. 3–4.
-
A. Burenkov, M. Sekowski, V. Belko, H. Ryssel. Angular distributions of sputtered silicon at graz-ing gallium ion beam incidence // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Research B. – 2012. – V. 272. –P. 23–27.
-
Белько В.И, Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Моделирование начальных стадий формирования кластеров собственных дефектов в кристалле кремния // Материалы V Международной научной конфе-ренции «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА», Минск, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, 18-21 октября 2011 г.- T.2. - С.274 -276.
-
Гусаков В.Е., Белько В.И., Дорожкин Н.Н. Квантовохимическое исследование начальных стадий роста нанокластеров германия на свободной поверхности кремния // Материалы V Международной научной конференции «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА», Минск, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, 18-21 октября 2011 г. T.1. - С.198-200.
-
A. Burenkov, M. Sekowski, V. Belko, H. Ryssel. Angular distributions of sputtered silicon at grazing gallium ion beam incidence // 17th International Conference on Ion Beam Modification of Materials – IBMM 2010 – Canada, Montreal, August 22-27.
-
Белько В.И., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н. Формирование и диффузия собственных междоузельных атомов в кристаллах кремния при гидростатическом давлении: квантово-химическое моделирование. Поверхность. – 2009. – № 8. С.1-5.
-
Gusakov V., Belko V.I., Dorozhkin N.N. Effect of Hydrostatic Pressure on Self-interstitial Diffusion in Si, Ge, Si<Ge> Crystals: Quantum-chemical Simulations // Solid State Phenomena. – 2008. – Vol. 131-133 .– P. 271-275.
-
Белько В.И., Бородин В.А., Гусаков В.Е., Дорожкин Н.Н., Кондратьева О.М. Моделирование формирования кластеров собственных дефектов в облученном кремнии: кинетический метод Монте-Карло. // III Международная научная конференция «Материалы и структуры современной электроники» БГУ, г.Минск, 25-26 сентября 2008 года. С.145-149.
-
Белько В.И.. Математическая модель переноса примеси при ионной имплантации. Методические указания для студентов специальности «Прикладная математика». Минск: БГУ, 2007. – 26 с.
-
Belko V., Kuznetsov A.. Frenkel pair accumulation in ion- and electron-irradiated SiC// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research B . – 2006. – V. 248/1. – P.77-82.
-
Gao F., Posselt M., Belko V., Zhang Y., Weber W.J. Structures and energetics of defects: a comparative study of 3C- and 4H-SiC // Nucl. Instr. Meth. B. – 2004. – V. 218 – P.74.
-
Gao F., Posselt M., Belko V., Weber W.J. Atomic Computer Simulations of Defect Migrations in 3C- and 4H-SiC // Materials Science Forum. – 2004. – V. 457-460. – P.457-460.
-
Gao F., Posselt M., Belko V., Zhang Y., Weber W.J. Atomistic study of intrinsic defect migrations in 3C-SiC // Phys. Rev. B. – 2004. – V. 69. – P.245205.
-
Posselt M., Gao F., Weber W.J., Belko V.I. A comparative study of the structure and energetics of elementary defects in 3C- and 4H-SiC // J. Phys.: Condens. Matter. – 2004. – V.16. – P.1307-1323.
-
Belko V.I., Posselt M., Chagarov E. Improvement of the repulsive part of the classical interatomic potential for SiC // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research B. – 2003. – Vol.202. – P. 18-23.
-
Posselt M., Belko V.I., Chagarov E. Influence of polytypism on elementary processes of ion-beam-induced defect production in SiC // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research B. – 2001. – Vol.180. – P. 17-22.
-
Белько В.И., Комаров Ф.Ф., Мозолевский И.Е. Моделирование ионной имплантации в многослойные мишени. Микроэлектроника. – 1998. – Т. 27, N 2. ¬С.120-124.
-
Белько В.И. Мозолевский И.Е. Моделирование высокоэнергетической ионной имплантации на основе численного решения уравнения Больцмана. Поверхность. – 1994. – N 4. – С. 40-48.
-
Belko V.I. Mozolevski I.E. High-energy ion implantation simulation based on numerical solution of the Boltzmann transport equation. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. – 1995. – Vol. 95. – P. 17-24.
-
Белько В.И., Бойко Е.Б., Буренков А.Ф., Мозолевский И.Е. Угловое и энергетическое распределение потока ионов в мишени при ионной имплантации. Поверхность. – 1992. – N 10-11. – С. 89-94.