Рус Бел Eng De Cn Es Ar
Явид Валентин Юльянович

Явид Валентин Юльюнович

Биография.

Родился 27 сентября 1945 г. в городе Минске.
В 1969 г. окончил физический факультет Белорусского государственного университета и в том же году поступил в аспирантуру БГУ. С 1971 г. работает младшим научным сотрудником сначала на кафедре физики полупроводников, а затем в НИИПФП. С 1978 по 1985 гг старший научный сотрудник в БНТУ и Институте физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси.

В 1985 г. переведен в БГУ, где и работает по настоящее время старшим научным сотрудником на кафедре физики полупроводников и наноэлектроники. В 1979 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему Рекомбинация на радиационных дефектах в германии. Автор более ста публикаций.

Занимаемая должность:

Старший научный сотрудник

Степень, ученое звание:

Кандидат физико-математических наук (1979); Старший научный сотрудник (1983)

Контактная информация:

(+37517)209-53-64; в. 62-50     e-mail yavid@bsu.by

Научные интересы:

Процессы безызлучательной рекомбинации в полупроводниках; дефектно-примесная инженерия кристаллов

Читаемые курсы:               

Физика и технология полупроводниковых приборов;

Физика полупроводниковых приборов;

Полупроводниковые приборы

  1. Petrov V.V. The Effect of Rare-Earth Elements on the Entropy of Radiation Defects Ionization in n-Type Ge / V.V. Petrov, T.D. Kharchenko, V.Yu. Yavid // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Series. “Rare Earth Doped Semiconductors”. - 1993. - V.301. - P.229-235.;
  2. Явид В.Ю. Распределение центров рекомбинации в кристаллах особо чистого германия / В.Ю. Явид, С.Н. Якубеня, Х.А. Шамас // Неорганические материалы. - 1998. – Т. 34. - № 12. С.1420-1422.;
  3. Патент. 2014372 Российской Федерации. С30 В15/04.29/08. Способ выращивания монокристаллов германия / Алимов О.М., Петров В.В., Просолович В.С., Харченко К.В., Явид В.Ю.;опубл. 15.06.94.;
  4. Jadan M. Efficiency of formation of radiation defects in silicon upon implantation of silicon and phosphorus ion / A.R. Chelyadinskii, V.Yu. Yavid // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B – 2004. - V.225. – P 516-520.
  5. Displacement of Boron from the Silicon Crystal Nodes
  6. Model of High-Temperature Diffusion of Interstitial Silicon Atoms in Silicon
  7. Nitrogen as Annihilation Centre for Point Defects in Implanted Silicon
)