Рус Бел Eng De Cn Es Ar
Челядинский Алексей Романович

Челядинский Алексей Романович

Биография.

Челядинский Алексей Романович родился 23.05.1945, окончил физический факультет Белорусского государственного университета в 1968 году. С 1973 года работает на кафедре физики полупроводников БГУ. В 1979 году защитил кандидатскую диссертацию, в 2000 г.докторскую диссертацию по специальности 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков. В 1988 ему присвоено звание старшего научного сотрудника.

С 1975 по 2000 год являлся заместителем заведующего кафедрой физики полупроводников по научной работе. Челядинский А.Р. является автором 140 научных публикаций, в том числе двух статей в журнале “Успехи физических наук”. Неоднократно был членом оргкомитета международных конференций. Является руководителем ряда научно-исследовательских проектов, результаты разработок внедрены на НПО “Интеграл”. Под руководством А.Р. Челядинского подготовлены и защищены 5 кандидатских диссертаций.

На протяжении многих лет им читались курсы лекций для студентов кафедры физики полупроводников. Челядинский А.Р. является членом специализированного Совета по защите диссертаций Д 02.01.16 при БГУ.

Занимаемая должность:

Главный научный сотрудник

Степень, ученое звание:

Доктор физико-математических наук (2000); старший научный сотрудник (1988)

Контактная информация:

(+37517) 209-53-64; в. 62-50     e-mail chelyadinski@bsu.by

Научные интересы:

физика ионно-радиационной технологии полупроводников, управляемое дефектно-примесное взаимодействие в полупроводниках

  1. Челядинский А.Р. Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии / А.Р. Челядинский, Ф.Ф.Комаров // Успехи физических наук. – 2003. - т.173. - №8. – С.813-846;
  2. Berezhnov N.I. On the problem of Watkins substitution and migration of silicon atoms in silicon / N.I. Berezhnov, A.R. Chelyadinskii, M. Jadan.// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research/ - 1993.- v. 73. - №3. – C.357-361.; 
  3. Плебанович В.И. Создание бездефектных ионно-легированных слоев кремния / В.И. Плебанович, А.И Белоус, А.Р.Челядинский // Физика твердого тела. – 2008.- т.50. - № 8. – С. 1378-1382
  4. Белоус А.И., Васильев Ю.Б., Емельянов В.А., Оджаев В.Б., Плебанович В.И., Садовский П.К., Челядинский А.Р. Поведение примесей сурьмы и фосфора в имплантированном кремнии. //Сборник научных трудов III международной научноq конференции: «Материалы и структуры современной электроники», – Минск, – 2008,  – с.152-156.
  5. Белоус А.И., Васильев Ю.Б., Емельянов В.А., Оджаев В.Б., Плебанович В.И., Садовский П.К., Челядинский А.Р. Дефекты структуры в имплантированных слоях кремния и качество сформированных на них слоев SiO2 // Материалы VIII международной конференции «Взаимодействие излучения с твердым телом», – Минск, – 2009,  – с.61-63.
  6. Васильев Ю.Б., Плебанович В.И., Оджаев В.Б., Садовский П.К., Челядинский А. Р., Гайдук П.И., Прокопьев С.Л. Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге. // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 сент. 2010 г. – Минск : БГУ, 2010. – с. 156-160.
  7. Вавилов В.С. Ионная имплантация примеси в  монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения / В.С. Вавилов, А.Р. Челядинский // Успехи физических наук. – 1995. - т.165. - №3. – С.347-358.

)