Версия для слабовидящих
Рус Бел Eng De Cn Es
МАНДРИК Павел АлексеевичЗАДВОРНЫЙ Борис ВалентиновичКРАХОТКО Валерий ВасильевичФИЛИПЦОВ Александр ВладимировичСЕЧКО Владимир ВладимировичИСАЧЕНКО Александр НиколаевичБЕЛЬКО Виктор Иванович ТАРАНЧУК Валерий БорисовичДАВИДОВСКАЯ Мария ИвановнаХАРИН Юрий СеменовичКАЛИНИН Анатолий ИосифовичВАСИЛЬКОВ Дмитрий МихайловичКОМРАКОВ Борис БорисовичРАДЫНО Николай ЯковлевичВОЛЧКОВА Галина Петровна ПЕТРОВИЧ Сергей Петрович СВИРИД Юрий Владимирович СОБОЛЕВСКАЯ Елена Павловна ОРЛОВИЧ Юрий ЛеонидовичПОБЕГАЙЛО Александр ПавловичКОТОВ Владимир МихайловичКОМАРОВСКИЙ Игорь Венедиктович РАФЕЕНКО Екатерина ДмитриевнаБУЗА Михаил КонстантиновичВОЙТЕШЕНКО Иосиф СтаниславовичАЛЬСЕВИЧ Виталий ВикентьевичИРЖАВСКИЙ Павел АлександровичМУШКО Вилена ВладимировнаСОБОЛЕВА Татьяна ВалентиновнаКАЗАЧЕНОК Виктор ВладимировичЦЕХОВАЯ Татьяна ВячеславовнаЛИХОДЕД Николай АлександровичТУЗИКОВ Александр Васильевич ПИЛИПЧУК Людмила АндреевнаГОРЯЧКИН Владимир ВикторовичВАСИЛЕНКО Жанна ВитальевнаДРОБУШЕВИЧ Любовь ФедоровнаГАБАСОВ Рафаил ФедоровичХАРИН Алексей ЮрьевичКУРБАЦКИЙ Александр НиколаевичБОНДАРЕНКО Светлана ПетровнаКОНАХ Валентина ВладимировнаМЕДВЕДЕВ Геннадий АлексеевичКАШКЕВИЧ Сергей ИвановичРАЗМЫСЛОВИЧ Георгий ПрокофьевичМАЛЮГИН Владимир ИльичКОЗЛОВСКАЯ Инесса СтаниславовнаКРАСНОПРОШИН Виктор ВладимировичОБРАЗЦОВ Владимир АлексеевичМАЗАНИК Сергей АлексеевичВАСЬКОВСКИЙ Максим МихайловичЧЕБ Елена СергеевнаМАТВЕЕВ Геннадий ВасильевичКИРЛИЦА Валерий ПетровичТРУШ Николай НиколаевичСАКОВИЧ Вадим ЮрьевичСТАЛЕВСКАЯ Светлана НиколаевнаЛАППО Петр МихайловичБУЛАТОВ Владимир ИвановичОРЛОВА Елена НиколаевнаФАЛЕЙЧИК Борис ВикторовичБОБКОВ Владимир ВасильевичБУДНИК Анатолий МихайловичНИКИФОРОВ Иван ВасильевичРЕПНИКОВ Василий ИвановичКРАСНОГИР Евгений ГригорьевичХАТКЕВИЧ Людмила АнатольевнаПОЛЕВИКОВ Виктор КузьмичТЕТЕРЕВ Александр ВладимировичПАВЛЕНОК Наталия СергеевнаКУЗЬМИНА Анна ВикентьевнаЖУК Евгений ЕвгеньевичЛОБАЧ Виктор ИвановичМЕЛЕНЕЦ Юрий ВитальевичКАСТРИЦА Олег АдамовичУРБАНОВИЧ Александр ИосифовичРУБАШКО Наталья Константиновна КАРТЫННИК Юрий АнатольевичБОДЯГИН Игорь Александрович ДУДИН Александр НиколаевичДУДИН Сергей АлександровичДУДИНА Ольга СергеевнаШАФРАНСКИЙ Яков Михайлович КОВНАЦКАЯ Ольга АнатольевнаКОНОВАЛОВ Олег ЛеонидовичВЫСОКИХ Людмила Кондратьевна ВАЛЬВАЧЕВ Александр НиколаевичГУТНИКОВ Сергей Евгеньевич ДМИТРУК Наталия МихайловнаСОЛОДОВНИКОВА Марина Леонидовна ЗЕНЬКО Татьяна АлексеевнаСАТОЛИНА Анна ВикторовнаБЕЗВЕРХИЙ Александр АнатольевичЛЕВАКОВ Анатолий АфанасьевичКУЛИНКОВИЧ Виктория АлександровнаБУЯЛЬСКАЯ Юлия ВикторовнаМАКАРЕНКО Леонид ФедоровичЖИБРИК Евгений ВитальевичПОЛЕЩУК Максим АлександровичТОЛСТИКОВ Алексей Александрович ГОРБАЧЕВА Юлия НиколаевнаВАСИЛЬКОВ Денис Дмитриевич БУСЛАВСКИЙ Александр Андреевич СОБОЛЬ Сергей Александрович Баханович Сергей ВикторовичБАРКЕТОВ Максим СергеевичЛОВЕРОВ Ярослав Анатольевич ДУГИНОВ Олег ИвановичПОЛЕЩУК Максим АлександровичЛАВРИНОВИЧ Леонид Иванович НЕДЗЬВЕДЬ Александр Михайлович НОВИЧКОВА Дарья АлександровнаЛАГУТО Анна АндреевнаРОГАЛЬСКИЙ Евгений СергеевичКОВАЛЕВ Василий АлексеевичНОВОСЕЛОВА Наталья АнатольевнаОТЛИГА Виктор ИгоревичВИЛЬЧЕВСКИЙ Константин ЮрьевичТРУБАЧ Геннадий Геннадьевич ЛЕВЧУК Елена Александровна КЛИМЕНОК Валентина Ивановна ЗАДВОРНЫЙ Ярослав БорисовичПИРШТУК Денис ИвановичЖУРАХОВСКИЙ Игорь ВасильевичКАЗАНЦЕВА Ольга Геннадьевна САФОНОВА Инна Николаевна
МАКАРЕНКО Леонид Федорович

Доцент кафедры математического моделирования и управления ФПМИ, кандидат физико-математических наук

Краткая биография

  • Кандидатская диссертация «Остаточная фотопроводимость кристаллов кремния» по специальности 01.04.10 – физика полупроводников и диалектрики защищена в 1988 году. Научный руководитель В.Д.Ткачев.
  • Ученое звание доцента по кафедре математической физики присвоено в 1996 году

Образование

  • физик: БГУ, физический факультет, кафедра физики полупроводников, 1975;
  • кандидат физ.-мат. наук: БГУ, 1988 (руководитель – В.Д. Ткачев), Тема диссертации – «Остаточная фотопроводимость кристаллов кремния».

Научные интересы

  • моделирование наноэлектронных структур и квантоворазмерных элементов устройств информатики;
  • атомные процессы в полупроводниковых структурах;
  • радиационная физика полупроводников и полупроводниковых приборов.

Учебная деятельность, курсы лекций

  1. «Физические основы компьютерных систем»,
  2. «Защита населения и радиационная безопасность».

 

Контакты

Телефон: (8-017) 209-59-36
E-mail: makarenko@bsu.by

Персональная страница на сайте ФПМИ

Статьи в журналах и сборниках трудов

  1. Uleckas U., Gaubas E., Makarenko  L.F., Vanhellemont J. S. «Study of Radiation Defect  Characteristics in Ge Doped Si Structures// Radiation interaction with material and its use in technologies, 14-17 мая 2012 г.., Каунас, Литва. с. 270-273.
  2. L.F. Makarenko, M. Moll, J.H. Evans-Freeman, S.B. Lastovski, L.I. Murin, F.P. Korshunov Kinetics of self-interstitials reactions in p-type silicon irradiated with alpha particles// Physica B: Condensed Matter, Volume 407, Issue 15, 2012, Pages 3016-3019.
  3. Levchuk E.A.,  Makarenko L.F., Lavrova O.A. Localized electron states in nanogate-donor system // Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2013): Сборник докладов Международной научной конференции (Минск 15-18 октября 2013 г.), в 3 т., ред. колл.: Н.М. Олехнович (пред.) и др. – Мн.: «Ковчег», 2013. – Том 2, с. 62-64.
  4. Макаренко Л.Ф., Ластовский С.Б., Коршунов Ф.П.,  Казючиц Н.М., Абросимов Н.В. Образование и отжиг дефектов междоузельного типа в кремнии и кремний-германиевых сплавах, облученных альфа-частицами// Труды XXIII Международной конференции «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь, 9-14 июля 2013 г., ГБНУ «НИИ ПМТ», 2013 г., с. 426-431.
  5. Л.Ф. Макаренко, И. Пинтилие, Ф.П. Коршунов, С.Б. Ластовский, М. Молл, Абросимов Н.В. Образование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых и кремний-германиевых структурах, облученных альфа-частицами / Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2013): Материалы 10-й Международной конференции ", Минск, 24-27 сентября 2013 г. – Мн.: Издательский центр БГУ, 2013. - с. 119-120.
  6. И. Пинтилие, Л.Ф.Макаренко, Ф.П. Коршунов, С.Б. Ластовский, Я.И. Латушко, Абросимов Н.В. Влияние электронной подсистемы на протекание междоузельных реакций в облученном кремнии/ Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2013): Материалы 10-й Международной конференции ", Минск, 24-27 сентября 2013 г. – Мн.: Издательский центр БГУ, 2013. - с. 140-142.
  7. С.Б. Ластовский, Л.И. Мурин, Ю.В. Богатырев, Ф.П. Коршунов, Н.В. Абросимов, Макаренко Л.Ф. Влияние облучения быстрыми электронами и последующего термического отжига на параметра n+-p структур на основе Si1-xGex:B// «Известия Национальной академии наук Беларуси.  Серия физико-математических наук», 2013 г., № 3. с. 96-100.
  8. Makarenko, L. F., S. B. Lastovskii, F. P. Korshunov, M. Moll, I. Pintilie, and N. V. Abrosimov. "Formation and annealing of boron-oxygen defects in irradiated silicon and silicon-germanium n+-p structures." In American Institute of Physics Conference Series, vol. 1583, pp. 123-126. 2014.
  9. Algirdas Mekys, Vytautas Rumbauskas, Jurgis Storasta, Leonid Makarenko, Juozas Vidmantis Vaitkus / Defect analysis in fast electron irradiated silicon by Hall and magnetoresistivity means //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. – 2014. – Т. 338. – С. 95-100.
  10. Mekys, A., Rumbauskas, V., Storasta, J., Makarenko, L., Kazuchits, N., & Vaitkus, J. V. (2014). Hall effect and magnetoresistance investigation of fast electron irradiated silicon//Lithuanian Journal of Physics. – 2014. – Т. 54. – №. 2.
  11. Makarenko, L. F., Lastovskii, S. B., Yakushevich, H. S., Moll, M., & Pintilie, I.  Forward current enhanced elimination of the radiation induced boron–oxygen complex in silicon n+–p diodes //physica status solidi (a). – 2014. – Т. 211. – №. 11. – С. 2558-2562.
  12. Makarenko, L. F., Korshunov, F. P., Lastovskii, S. B., Murin, L. I., Moll, M., & Pintilie, I. /Formation and annealing of metastable (interstitial oxygen)-(interstitial carbon) complexes in n-and p-type silicon //Semiconductors. – 2014. – Т. 48. – №. 11. – С. 1456-1462.
  13. Макаренко, Л. Ф., Коршунов, Ф. П., Ластовский, С. Б., Мурин, Л. И., Молл, М., & Пинтилие, И.  Образование и отжиг метастабильных комплексов межузельный кислород− межузельный углерод в кремнии n-и p-типа //Физика и техника полупроводников. – 2014. – Т. 48. – №. 11.
  14. А.П. Одринский Н.М. Казючиц, Л.Ф. Макаренко PICTS-спектроскопия синтетического НРНТ алмаза в области температур 300 – 550 К /Известия Национальной академии наук Беларуси.  Серия физико-технических наук, 2014 г., № 4. с. 91-96.
  15. Ластовский, С. Б. Инжекционный отжиг радиационно-индуцированного комплекса междоузельный бор-междоузельный кислород в кремниевых n+-p диодах / С. Б. Ластовский, Ф. П. Коршунов, А. С. Якушевич, Я. И. Латушко, Л. Ф. Макаренко // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2014. - 268 с. - (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество). С. 120–123.
  16. Одринский, А. П. Особенности релаксации фототока синтетического НРНТ алмаза в области температур 420 – 540 К  / А. П. Одринский, Н. М. Казючиц, Л. Ф. Макаренко // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2014. - 268 с. - (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество). С. 138–141.
  17. Левчук, Е. А. Факторы эффективного управления электронными состояниями донора во внешнем электрическом поле / Е. А. Левчук, Л. Ф. Макаренко // Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2014. - 268 с. - (Вузовская наука, пром-сть, междунар. сотрудничество). С. 197–200.
  18. Radu R. et al. Investigation of point and extended defects in electron irradiated silicon—Dependence on the particle energy / Radu, R., Pintilie, I., Nistor, L. C., Fretwurst, E., Lindstroem, G., & Makarenko, L. F./Journal of Applied Physics. – 2015. – Т. 117. – №. 16. – С. 164503.
  19. Elena Levchuk, Leonid Makarenko, Modeling of Magnetic Field-Assisted Electron Manipulation in Nanogate-Donor System//Proceedings of 2nd International Conference on Modern Applications of Nanotechnology, Minsk, May 6-8, 2015, Minsk, 2015, P113 (3 pages).
  20. А.П.Одринский, Н.М.Казючиц, Л.Ф.Макаренко / Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия дефектов в монокристаллах синтетического алмаза/ФТТ, 2015, том 57, выпуск 11,c. 2212-2217.
  21. Elena Levchuk, Leonid Makarenko,  Numerical modeling of donor-based qubit states in electric and magnetic fields //16th International Workshop on New Approaches to High-Tech: Nano-Design, Technology, Computer Simulations NDTCS-2015, September 22-25, 2015, Grodno, Belarus, Гродно: ГрГУ, 2015- с. 86-88.
  22. Odrinskii A. P., Kazyuchits N. M., Makarenko L. F. Photo-induced current transient spectroscopy of defects in single crystals of synthetic diamond //Physics of the Solid State. – 2015. – Т. 57. – №. 11. – С. 2279-2285.
  23. С.Б. Ластовский, В.П. Маркевич, Ф.П. Коршунов, А.С. Якушевич, Л.И. Мурин, Л.Ф.Макаренко /Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремнии p-типа,  Доклады Национальной академии наук Беларуси 2015, Том 59, № 4, c.57-62.
  24. L.F. Makarenko, H.S. Yakushevich, L.I. Murin, S.B. Lastovskii. Effect of Forward Current Injection on Elimination of Boron-Oxygen Complex in Irradiated Silicon n+-p Diodes // Proceedings of the 2nd International Conference on Modern Applications of Nanotechnology. Minsk, Belarus, 6-8 May 2015. Р. 097-1 — 097-3.
  25. Ластовский С.Б., Маркевич В.П., Коршунов Ф.П., Якушевич А.С., Мурин Л.И., Макаренко Л.Ф. Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремнии p-типа // Труды 25-ой Междунар. конференции «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 6-11 июля 2015 г.), под ред. Бондаренко Г.Г. - Москва, 2015. С. 226 – 235.
  26. Levchuk E. A., Makarenko L. F. On controlling the electronic states of shallow donors using a finite-size metal gate //Semiconductors. – 2016. – Т. 50. – №. 1. – С. 89-96.
  27. Левчук Е.А. Влияние магнитного поля на локализацию волновой функции электрона в системе нанозатвор-донор / Е.А. Левчук, Л.Ф. Макаренко // Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук. –2016. – № 2 – C. 68–75.
  28. Левчук, Е.А. Влияние геометрии управляющих электродов на функционирование донорного кубита / Е.А. Левчук, О.А. Лаврова, Л.Ф. Макаренко // Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2016) : сборник докладов Международной научной конференции, Минск, 22-25 ноября 2016 г. : в 3 т. / ред. колл.: Н.М. Олехнович (пред.) [и др.]. – Мн.: «Ковчег», 2016. – Т. 2. – C. 105-107.
  29. Левчук, Е.А. Управление электронными состояниями мелкого донора в МДП-структуре / Е.А. Левчук, Л.Ф. Макаренко // Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2016. – С. 275–278.
  30. Якушевич А.С., Ластовский С.Б., Макаренко Л.Ф., Мурин Л.И. Бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых n+–p-структурах, облученных альфа-частицами // Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2016) : сборник докладов Международной научной конференции, Минск, 22-25 ноября 2016 г. : в 3 т. / ред. колл.: Н.М. Олехнович (пред.) [и др.]. – Мн.: «Ковчег», 2016. – Т. 2. – C. 105-107.
  31. Kozlovski, V. V., Lebedev, A. A., Strel’chuk, A. M., Davidovskaya, K. S., Vasil’ev, A. E., & Makarenko, L. F. (2017). Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of n-4H-SiC (CVD) epitaxial layers. Semiconductors, 51(3), 299-304.
  32. Л. Ф. Макаренко, С. Б. Ластовский, А. С. Якушевич, М. Молл, И. Пинтилие, Инжекционный отжиг радиационных дефектов междоузельного типа в легированных бором кристаллах кремния// Вес. Нац. акад. навук Беларусі. Сер. фіз.-мат. навук. – 2017. – № 3. – С. 108–117.
  33. Levchuk, E.A. Modeling of electronic states of a single donor in MIS-structure using the finite difference method / E. A. Levchuk, S.V. Lemeshevskii, L.F. Makarenko // Mathematical Modeling, – 2017. – V. 1 – № 3. – С. 134–137.
  34. Radu, R., Pintilie, I., Makarenko, L. F., Fretwurst, E., & Lindstroem, G. (2018). Kinetics of cluster-related defects in silicon sensors irradiated with monoenergetic electrons. Journal of Applied Physics, 123(16), 161402.
  35. Makarenko, L. F., Lastovskii, S. B., Yakushevich, H. S., Moll, M., & Pintilie, I. (2018). Effect of electron injection on defect reactions in irradiated silicon containing boron, carbon, and oxygen. Journal of Applied Physics, 123(16), 161576.
  36. Левчук Е.А., Лемешевский С.В., Макаренко Л.Ф. Использование метода конечных разностей для расчета электронных состояний в МДП-структуре с одиночным донором. Информатика. 2018;15(1):7-20.

Численное решение квантовомеханической задачи расчета электронной структуры кулоновского центра в полупространстве Лаврова, О.А.; Левчук, Е.А.; Макаренко, Л.Ф.
Алгоритм численного решения квантово-механических задач для одномерных потенциальных ям произвольной формы Малыщиц, В. В.; Сокольский, А. А.; Макаренко, Л. Ф.
Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном бором Макаренко, Л. Ф.; Молл, М.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
Безопасность жизнедеятельности человека. № ТД-OH.006/тип. Урбанович, А. И.; Макаренко, Л. Ф.
Безопасность жизнедеятельности человека. № ТД-OH.006/тип. Урбанович, А. И.; Макаренко, Л. Ф.
Безопасность жизнедеятельности человека. № ТД-OH.006/тип. Урбанович, А. И.; Макаренко, Л. Ф.
Безопасность жизнедеятельности человека. № ТД-OH.006/тип. Урбанович, А. И.; Макаренко, Л. Ф.
Безопасность жизнедеятельности человека. № ТД-OH.006/тип. Урбанович, А. И.; Макаренко, Л. Ф.
Влияние электронной подсистемы на протекание междоузельных реакций в облученном кремнии Пинтилие, Л. И.; Макаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.
Дифференциальные уравнения и математические модели в микроэлектронике, электродинамике : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Корзюк, В. И. Корзюк, В. И.; Белько, В. И.; Чеб, Е. С.; Козловская, И. С.; Макаренко, Л. Ф.; Дайняк, В. В.; Урбанович, А. И.; Дубров, Б. М.; Долгая, Т. Н.
Идентификация моделей радиационных дефектов в кремнии для прогнозирования радиационной стойкости детекторов излучений Макаренко, Л. Ф.; Явид, Ю. А.; Латушко, Я. И.; Замятин, Н. И.
Инжекционный отжиг радиационно-индуцированного комплекса междоузельный бор-междоузельный кислород в кремниевых n+-p диодах Ластовский, С. Б.; Коршунов, Ф. П.; Якушевич, А. С.; Латушко, Я. И.; Макаренко, Л. Ф.
Механизмы и модели радиационного повреждения современных кремниевых детекторов для суперколлайдеров : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Л. Ф. Макаренко Макаренко, Л. Ф.; Ластовский, С. Б.; Латушко, Я. И.; Левчук, E. A.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КЛАСТЕРОВ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ Макаренко, Л. Ф.; Левчук, Е. А.
НЕОДНОРОДНОСТИ ЛЕГИРОВАНИЯ И ПРАВИЛО МЕЙЕРА-НЕЛДЕЛЯ ДЛЯ ПАРАМЕТРОВ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ Макаренко, Л. Ф.; Латушко, Я. И.
Образование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых и кремний-германиевых структурах, облученных альфа-частицами Макаренко, Л. Ф.; Пинтилие, И.; Коршунов, Ф. П.
Оптимизация структуры и режимов работы твердотельных лазеров с диодной накачкой и модификация характеристик алмазных детекторных структур при высокотемпературных и радиационных воздействиях : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Л. И. Буров Буров, Л. И.; Казючиц, Н. М.; Горбацевич, А. С.; Крылова, Л. Г.; Русецкий, М. С.; Макаренко, Л. Ф.; Казючиц, В. Н.
Особенности релаксации фототока синтетического НРНТ алмаза в области температур 420 – 540 К Одринский, А. П.; Казючиц, Н. М.; Макаренко, Л. Ф.
Применение вариационного метода для расчета электронной структуры одиночных доноров и донорных пар в анизотропном полупроводнике Макаренко, Л. Ф.
Пространственная корреляция радиационных дефектов в слаболегированных кристаллах кремния Макаренко, Л. Ф.
Разработка критериев отбора и оценка пригодности синтетических монокристаллов алмаза для регистрации ядерных излучений и изготовление детекторов ядерных излучений на их основе : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Казючиц, Н. М. Казючиц, Н. М.; Макаренко, Л. Ф.; Русецкий, М. С.; Казючиц, В. Н; Гоцкевич, Г. В.; Шуленков, А. С.; Наумчик, Е. В.
Разработка физико-технологических принципов создания детекторов ультрафиолетового и ядерного излучений на основе монокристаллов синтетических алмазов : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Казючиц, Н. М. Казючиц, Н. М.; Макаренко, Л. Ф.; Русецкий, М. С.; Козловский, А. С.; Шуленков, А. С.; Казючиц, В. Н.; Гоцкевич, Г. В.; Наумчик, Е. В.
Разработка, создание и исследование твердотельных лазеров с диодной накачкой и детекторных структур для регистрации импульсных излучений в ультрафиолетовом и рентгеновском диапазонах спектра : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Н. М. Казючиц Казючиц, Н. М.; Русецкий, М. С.; Макаренко, Л. Ф.; Наумчик, Е. В.; Казючиц, В. Н.
Расчет энергетического спектра электрона в поле кулоновского центра, расположенного в полупространстве Макаренко, Л. Ф.; Киндяев, А. Л.
Светочувствительные парамагнитные центры в кристаллах кремния, облученных электронами Латушко, Я. И.; Лапчук, И. М.; Макаренко, Л. Ф.
СВЯЗАННЫЕ СОСТОЯНИЯ ЭЛЕКТРОНА В ПОЛЕ НАНОРАЗМЕРНОГО ЗАТВОРА МОП-СТРУКТУРЫ Макаренко, Л. Ф.; Левчук, Е. А.; Лаврова, О. А.
ТЕРМИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ ДЕФЕКТОВ МЕЖДОУЗЕЛЬНОГО ТИПА В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОМ Макаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Абросимов, Н. В.
Управление электронными состояниями мелкого донора в МДП-структуре Левчук, Е. А.; Макаренко, Л. Ф.
Факторы эффективного управления электронными состояниями донора во внешнем электрическом поле Левчук, Е. А.; Макаренко, Л. Ф.
ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕЖДОУЗЕЛЬНЫХ РЕАКЦИЙ В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ОБЛУЧЕННЫХ АЛЬФА-ЧАСТИЦАМИ Макаренко, Л. Ф.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
Эффективный алгоритм численного решения одномерного уравнения Шредингера и его применение в образовательном процессе . Малыщиц, В. В.; Макаренко, Л. Ф.; Пицевич, Г. А.; Сокольский, А. А.
Электронная структура пар мелких доноров в многодолинном полупроводнике Макаренко, Леонид Федорович

Цитируемость работ Л.Ф. Макаренко согласно Google Scholar Citations — 609, 
h-индекс —  14,
i10-индекс — 20. 
данные на 24.09.2018.


Цитируемость 41 работ Л.Ф. Макаренко в БД scopus — 311, 
h-индекс —  10, 
данные на 24.09.2018.

)
© Белорусский государственный университет
Адрес: пр. Независимости, 4, 220030, г. Минск, Республика Беларусь.
Тел. + 375 17 209 50 44. Факс. + 375 17 226 59 40. Url: .
При копировании материалов ссылка на сайт обязательна. Все права защищены.