Версия для слабовидящих
Рус Бел Eng De Cn Es
Новиков Андрей Геннадьевич

     Родился 30 июля 1982 года.

         С 2000 по 2005 гг. студент факультета радиофизики и электроники БГУ по специальности физическая электроника. С 2005 по 2009 гг. являлся аспирантом кафедры физической электроники БГУ. Работу в БГУ начал в 2003 г. в должности лаборанта. С 2009 г. младший научный сотрудник кафедры физической электроники и нанотехнологий БГУ. С сентября 2013 г.и по настоящее время – старший преподаватель кафедры физической электроники и нанотехнологий.
          Специалист в области физики твердого тела, физики полупроводников, микро- и наноэлектроники.

Научные интересы:

  • физика тонких пленок и низкоразмерных структур
  • изучение наноструктур на основе соединений Si, Ge, Pt, Au
  • разработка новых материалов для приборов опто- и наноэлектроники.

Преподаваемые дисциплины:

  • Микро- и наноэлектроника
  • Современные методы диагностики микро- и наносистем
  • Современные методы диагностики материалов и структур твердотельной электроники
  • Методы диагностики наноматериалов и наноструктур

Новиков А.Г., Раткевич С.В., Гайдук П.И., Комаров Ф.Ф. Сегрегация Ge в SiGe сплавах при окислении // Доклады НАН Беларуси. 2009. Т. 53. № 2. С. 52 ‑ 56.

- А.Г. Новиков, Н.М. Казючиц, П.И. Гайдук. Катодолюминесценция слоев анодно-окисленного SiGe сплава. // Вестник БГУ, Сер. 1. Физика. Математика. Информатика. 2008, № 2. ‑ С. 35 ‑ 38.

- Andrei G. Novikau, Peter I. Gaiduk Germanium segregation in CVD grown SiGe layers for flash memory application // Central European Journal of Physics 2010, V. 8, № 1, P. 57 ‑ 60.

- Andrei Novikau, Peter Gaiduk, Ksenia Maksimova, Andrei Zenkevich Properties of silicon dioxide layers with embedded metal nanocrystals produced by oxidation of Si:Me mixture // Nanoscale Research Letters. ‑ 2011. ‑ Vol. 6. ‑ P. 148 ‑ 153.

- A.G. Novikau, P.I. Gaiduk, E.N. Pshenichnij, O.Yu. Nalivajko, V.S. Malishev and V.I. Plebanovich “Nanocrystal floating gate produced by CVD and thermal processing” International Conference “ICMNE-2007”, Moskow-Zvenigorod, Russia, October 1st ‑ 5th, 2007 – p. O3-O2.

- A.G.Novikau, P.I.Gaiduk. Germanium segregation in CVD grown SiGe layers for flash memory application. In: International Conference on Semiconductor Materials and Optics 2008. 9‑ 10 Oct., 2008, Warsaw, Poland, National Institute of Telecommunications. 2008, p.17.

- Properties of floating gate capacitors with incorporated Ge nanoclusters: effect oxidation ambient. A.G. Novikau, P.I. Gaiduk // Nanostructures: Physics and Technology, 17th International Conference, Co-chairs: Zh. Alferov, L. Esaki, Proceedings, Minsk: 2009, P. 163‑ 164.

- A.Novikau, P.I. Gaiduk, K. Maksimova, A. Zenkevich Structural and Electrical properties of Si/SiO2:NCs structures formed by thermal oxidation of SiGe, SiAu, SiPt alloy layers // International Conference EMRS Fall 2010, Symp. E: “Nanoscaled SiGe based materials”, September 13 ‑ 17, 2010, Warsaw University of Technology, Program and Book of Abstracts of Symp E, p. 19.

- Andrei Novikau, Peter Gaiduk  Impact of impurity doping on electrical properties of Ge nanoclusters embedded into silicon dioxide // 3rd International Conference “RADIATION INTERACTION WITH MATERIAL AND ITS USE IN TECHNOLOGIES 2010”, 20 – 23 September, Kaunas, Lithuania, рp. 2 ‑ 36.

- А.Г. Новиков, П.И. Гайдук, К.Ю. Максимова, А.В. Зенкевич Формирование нанокластеров в структурах Si/SiO2при термическом окислении слоев SiGe, SiPt, SiAu: структурные и электрофизические свойства // VIIМеждународная конференция “Кремний ‑ 2010”, 6 – 9 июля, г. Н. Новгород, Нижегородский государственный университет, С. 205.

)
© Белорусский государственный университет
Адрес: пр. Независимости, 4, 220030, г. Минск, Республика Беларусь.
Тел. + 375 17 209 50 44. Факс. + 375 17 226 59 40. Url: .