Рус Бел Eng De Cn Es Ar
Янковский Юрий Николаевич

 

Родился 18 ноября 1961 г. в г. Минске. В 1987 окончил инженерно-физический факультет Белорусского политехнического института. На кафедре работает с 1985 г. инженером, младшим научным сотрудником, научным сотрудником, старшим научным сотрудником. С 2007 г. — ведущим научным сотрудником. В 2006 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему "Взаимодействие редкоземельных элементов с основными легирующими и технологическими примесями в структурах на основе монокристаллического кремния". Автор более 70 публикаций.

Занимаемая должность:
Ведущий научный сотрудник
Степень, ученое звание:
Кандидат физ.-мат. наук
Контактная информация:
(+37517) 209-50-51; в. 62-55     e-mail yankouski@bsu.by
Научные интересы:

физика процессов примесно-дефектного взаимодействия в монокристаллическом кремнии и полупроводниковых структурах на его основе, материаловедение монокристаллического кремния, легированного нетрадиционными примесями.

1. Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Бринкевич Д.И. Радиационное дефектообразование за слоем внедрения при высокоэнергетичной ионной имплантации кремния // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-мат. навук. 2001. №3. С.111-114.
2. Петров В.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Поведение примесей   кислорода в кремнии, легированном эрбием // Известия вузов. Материалы электронной техники. – 2002. – № 1. – С.19-22.
3. Бринкевич Д.И., Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. , Явид В.Ю.Микротвердость ковалентных полупроводников, легированных редкоземельными примесями // Вестник БГУ. Сер. Физика, математика, информатика.- 2002.- № 1.- С.53-56.
4. Бринкевич Д.И., Лукашевич М.Г., Петров В.В., Просолович В.С., Скрипка Д.А., Янковский Ю.Н. Гигантский магниторезистивный эффект в кремнии, легированном редкоземельными элементами // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-мат. навук. - 2002. - № 2.- С.102-104.
5. Афанасьева Н.П., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Легирование кремния лантаноидами как способ оптимизации параметров детекторов ионизирующих излучений // Приборы и техника эксперимента. - 2002.- № 3.- С.24-26.
6. Бринкевич Д.И., Лукашевич М.Г., Просолович В.С., Скрипка Д.А., Янковский Ю.Н. Влияние редкоземельных примесей на магниторезистивный эффект в монокристаллическом кремнии // Неорганические материалы. – 2002. – Т.38, № 7. – С.775-777.
7. Бринкевич Д.И., Вабищевич С.А., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Редкоземельные элементы в монокристаллическом кремнии. - Новополоцк: ПГУ, 2005. — 130 с.;
8. Brinkevich D.I., Odzhaev V.B., Prosolovich V.S., Yankovski Yu.N. Radiation defects formation in silicon at high energy implantation // VACUUM. Surface engineering & vacuum technology. – 2005. – V.78, № 2 (357). – P.251-254.
9. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Перераспределение примесей при отжиге кремния, имплантированного бором и иттербием // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. – 2006. – № 8. – С.80-83.
10. Бринкевич Д.И., Оджаев В.Б., Просолович В.С., Янковский Ю.Н., Партыка Я. Электрофизические свойства КМОП-структур, созданных высокоэнергетичной ионной имплантацией // Przeglad elektrotechniczny. – 2010. – R.86, № 7. – C.184-186.
11. Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Особенности дефектообразования в кремнии, имплантированном ионами с удельной энергией ~ 1 МэВ/нуклон // Неорганические материалы. – 2010. – Т.46, № 12. – C.1413-1417.   
12. Вабищевич С.А., Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Просолович В.С., Янковский Ю.Н. Дефектообразование в приповерхностном слое кремния, имплантированного высокоэнергетическими ионами: Исследование методом микроиндентирования // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-мат. навук – 2010. – № 3. – C.86-90.
)