Рус Бел Eng De Cn Es
Гайдук Петр Иванович

    Гайдук П. И., 1958 г. рождения,  окончил физический факультет Белгосуниверситета в 1980 г. и аспирантуру на кафедре физики твердого тела БГУ в 1984 г. С декабря 1982 г. работал инженером, младшим научным сотрудником (1984-1986 г.г.), научным сотрудником (1986-1989 г.г.) и старшим научным сотрудником (1989-1994 г.г.) в НИИ ПФП БГУ. С 1994 г. работает на кафедре физической электроники и нанотехнологий БГУ в должности доцента (1994-2005 г.г.) и профессора (2005 – по настоящее время).

Руководил выполнением проектов в рамках ГКПНИ «Электроника», ГНТП «Микроэлектроника», «Наноматериалы и наноэлектроника», отдельных проектов БРФФИ и Министерства образования, ряда международных проектов. По результатам научных исследований защитил кандидатскую (1986 г.) и докторскую (2005 г.) диссертации. За успешное выполнение научных проектов награжден Почетной грамотой Белгосуниверситета в 2005 г., Почетной грамотой Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований в 2006 г. и грамотой Министерства образования РБ в 2008 г. В 2006 г. стал лауреатом конкурса инновационных проектов ЗАО «Технологический парк Могилев». На общественных началах выполняет рецензирование рукописей научных трудов в международных журналах Phys.Rev.B, Nucl.Instr.Meth.B, Physica, Vacuum и др.; участвует в проведении экспертизы научных проектов.

Является ученым секретарем Совета Д02.01.16 по защите докторских диссертаций, Совета по проведению экспертизы научно-исследовательских, опытно-конструкторских и опытно-технологических работ Министерства образования РБ.

Научные интересы

         Гайдук П.И. является известным специалистом в области физики конденсированных состояний, полупроводников и микроэлектроники. Научные интересы связаны с:

  • установлением зависимостей между структурным состоянием, физическими свойствами конденсированных материалов и тонкопленочных структур,
  • выращиванием и модификацией гетероэпитаксиальных слоев,
  • исследованием процессов формирования нано-размерных структур,
  • технологией формирования материалов наноэлектроники и приборов на их основе,
  • разработкой и характеризацией новых материалов и развитием техпроцессов для приборов и интегральных схем, солнечных элементов, твердотельных газовых сенсоров, био-совместимых неорганических материалов и др.

Преподаваемые дисциплины

        Читает курсы лекций: «Физические основы электроники», "Физика полупроводников и полупроводниковых приборов", "Технологии СБИС и УБИС". Осуществляет руководство курсовыми и дипломными работами, исследованиями студентов-магистрантов и аспирантов. Широко использует инновационные формы обучения. Стажировался в университете Орхуса (Дания), Йенском университете (Германия) и РИВШ.

Имеет более 370 научных работ. Из них более 130 статей опубликовано в научных журналах, практикующих рецензирование рукописей. Более 170 научных работ опубликовано в англоязычной версии, в том числе в международных журналах с высоким индексом влиятельности и цитируемости, таких как Phys.Rev.B, Appl.Phys.Lett., J.Appl.Phys., Nucl.Instr.& Meth.B, Physicaи др.

Основные публикации в журналах с высоким impact-фактором:

 - P.I.Gaiduk and A.Nylandsted Larsen. Secondary defect evolution in ion-implanted silicon. // J.Appl.Phys. 1990, V.68, P.5081-5089.

- O.Herre, W.Wesch, E.Wendler, P.I.Gaiduk, F.F.Komarov, S.Klaumunzer, and P.Meier Formation of discontinuous tracks in single-crystalline InP by 250-MeV Xe-ion irradiation. // Physical Review B1998 V. 58, P. 4832-4837.

- J. Fage-Pedersen, A. Nylandsted Larsen, P. Gaiduk,  J. Lundsgaard Hansen and  M. Linnarsson. Sn-Background-Induced Diffusion Enhancement of Sb in Si. // Physical Review Letters. 1998, V.81 P.5856-5859.

- P.I.Gaiduk, J.Fage-Pedersen, J.Lundsgaard Hansen, and A.Nylandsted Larsen. Sb-precipitation induced injection of Si-self interstitials in Si.// Physical Review B, 1999, V.59, P.7278-7281.

- P.I. Gaiduk, F.F. Komarov, V.S.Tishkov, W. Wesch and E. Wendler. Wurtzite InP formation during swift Xe ion irradiation.// Physical Review B, 2000, V. 61,  № 23, P. 15785-15788.

- P.I.Gaiduk, A.Nylandsted Larsen, and J.Lundsgaard Hansen. Defect-free MBE growth in SiGe/Si heteroepitaxial structures.// Thin Solid Films, 2000, v.367, N 1-2, p.120-125.

- P. I. Gaiduk, A. Nylandsted Larsen, C Trautmann, and M. Toulemonde. Discontinuous tracks in arsenic-doped crystalline Si0.5Ge0.5 alloy layers.// Physical  ReviewB 66, 045316(1-5) (2002)

- A. Kanjilal, J. Lundsgaard Hansen, P.I. Gaiduk et al. Structural and electrical properties of silicon dioxide layers with embedded germanium nanocrystals grown by molecular-beam epitaxy.// Appl.Phys.Lett. 82, (2003) 1212-1214.

-P.I. Gaiduk, J. Lundsgaard Hansen, A. Nylandsted Larsen and E. A. Steinman. Nanovoids in MBE grown SiGe alloys in-situ  implanted with Ge+ ions.// Physical Review B67 (2003) 235310

- P.I. Gaiduk, J. Lundsgaard Hansen, A. Nylandsted Larsen, E. Wendler and W. WeschSelf assembling of nanovoids in 800 keV Ge implanted Si/SiGe multi-layered structure.// Physical Review B67 (2003) 235311.

- P.I.Gaiduk, J.Lundsgaard Hansen and A.Nylandsted Larsen.Synthesis and analysis of hollow SnO2 nanoislands// Appl. Phys. Lett., 2008, Vol. 92, p. 193112-1-3

- P.I.Gaiduk. Extended defects in ion assisted MBE grown SiGe/Si-nanostructures.// Phys. Status Solidi C. 2009, V. 6, No 8, pp. 1922-1926.

- M.M.Kjeldsen, J.L.Hansen, T.G.Pedersen, P.I.Gaiduk, A.N.Larsen  Tuning the plasmon resonance of metallic tin nanocrystals in Si-based materials // Applied Physics A (2010) V.100, pp. 31-37

)