Версия для слабовидящих
Рус Бел Eng De Cn Es
Горбачук Николай Иванович

Горбачук Николай Иванович.

Биография:

Родился 5 апреля 1969 г. в деревне Вулька-Радовецкая Дрогичинского района Брестской области. В 1993 окончил физический факультет Белорусского государственного университета и в том же году поступил в аспирантуру БГУ. На кафедре работает с 1997 г. младшим научным сотрудником, научным сотрудником, ассистентом, старшим преподавателем.

С 2004 г. — доцент. В 2002 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему "Низкочастотная электропроводность и парамагнитный резонанс связанных кластеров в гетерогенных системах". Член методической комиссии физического факультета. Автор более 60 публикаций. В 2002 присуждена Стипендия Президента Республики Беларусь для молодых ученых, кандидатов наук, в 2006 награжден грамотой БГУ.

 

 

 

 

Занимаемая должность:

Доцент

Степень, ученое звание:

Кандидат физико-математических наук, доцент

Контактная информация:

(+37517) 209-51-10   e-mail gorbachuk@bsu.by

Научные интересы:

физика процессов переноса зарядов в неупорядоченных гетерогенных системах, импедансная спектроскопия композиционных материалов и барьерных структур микроэлектроники, наноэлектроника, электронный парамагнитный резонанс углеродных и кремниевых наноструктурированных материалов.

Читаемые курсы:               

Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках;

Неравновесные процессы в полупроводниках.

 

Учебные и методические издания
1. Емкость и электропроводность полупроводниковых структур на переменном токе: Учеб-ное пособие по спецпрактикуму “Физика полупроводниковых приборов”/ Н.А. Поклон-ский, Н.И. Горбачук, Т.М. Лапчук, Д.А. Кириленко. —Мн.: Белгосуниверситет, 1997. —61 с.
2. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Методические указания по структуре и оформлению дипломных и курсовых работ. —Мн.: БГУ, 2003.— 48 с.
3. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Лапчук Н.М. Физика электрического контакта ме-талл/полупроводник: Учебное пособие по спецпрактикуму “Физика полупроводниковых приборов”. —Мн.: БГУ, 2003.— 51 с.
4. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Основы импедансной спектроскопии композитов: курс лекций. —Мн.: БГУ, 2005. — 130 с.
5. Исследование переходных процессов в полупроводниковых структурах: пособие / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, А.И. Сягло, С.В. Шпаковсикй. —Мн.: БГУ, 2009. — 103 с.
Статьи в научных журналах
1. Гурин В.С., Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Колковский И.И. Влияние рентгеновского излучения на электропроводность поликристаллического иодида серебра // ЖТФ. —1996. —Т. 66, № 7. —С. 182—184. (Gurin, V.S., Poklonskii N.A., Gorbachuk N.I., Kolkovskii I.I. Ef-fect of x rays on the electrical conductivity of polycrystalline silver iodide // Technical Physics. —1996. —V. 41, № 7. —С. 732—733.) [abstract: 1996JTePh..41..732G].
2. Горбачук Н.И., Поклонский Н.А., Потоцкий И.В. Композитные материалы на основе Si/SiO2, полученные золь–гель методом // Известия вузов. Материалы электронной тех-ники. —1998. —№ 2. —С. 26—28.
3. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Электропроводность неоднородного перколяционного кластера в полимерном композите // Материалы, технологии, инструменты. —2001. —Т. 6, № 1. —С. 45—48.
4. Поклонский Н.А., Потоцкий И.В., Горбачук Н.И. Парамагнитные центры в золь–гель ксерогелях SiO2, введенные рентгеновским облучением // Неорганические материалы. —2001. —Т. 37, № 5. —С. 577—582. (Poklonskii N.A., Pototskii I.V., Gorbachuk N.I. X-ray-induced paramagnetic centers in SiO2 xerogels // Inorganic Materials. —2001. —V. 37, № 5. —P. 482—486.)[doi: 10.1023/A:1017528801182].
5. Поклонский Н.А., Лапчук Т.М., Горбачук Н.И. Измерение методом ЭСР размагничиваю-щего поля на поверхности металлических образцов // ЖПС. —2001. —Т. 68, № 4. —С. 419—422. (Poklonskii N.A., Lapchuk T.M., Gorbachuk N. I. Electron spin resonance meas-urements of a demagnetizing field on the surface metal samples // Journal of Applied Spectroscopy. —2001. —V. 68, № 4. —С. 543—547.) [doi: 10.1023/A:1012511517323].
6. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Электронный парамагнитный резонанс перколяционных кластеров сажи в полимере // ЖПС. —2001. —Т. 68, № 5. —С. 594—598. (Poklonskii N.A., Gorbachuk N.I. Electron paramagnetic resonance of percolation soot clusters in polyethylene // Journal of Applied Spectroscopy. —2001. —V. 68, № 5. —P. 776—782.) [doi: 10.1023/A:1013233631167]
7. Горбачук Н.И., Гурин В.С., Поклонский Н.А. Влияние влагосодержания на электропро-водность ксерогелей SiO2/LiCl // Физика и химия стекла. —2001. —Т. 27, № 6. —С. 762—771. (Gorbachuk N.I., Gurin V.S., Poklonski N.A. Effect of the moisture content on the electrical conductivity of SiO2/LiCl xerogels // Glass Physics and Chemistry. —2001. —V. 27, № 6. —P. 520—526.) [doi: 10.1023/A:1013246208529].
8. Электропроводность композиционных материалов на основе мелкодисперсного кремния вблизи перехода диэлектрик–металл / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, И.В. Потоцкий, Д.А. Трофимчук // Неорганические материалы. —2004. —Т. 40, № 11. —С. 1293—1298 (Electrical conductivity of composite materials based on fine-particle silicon near the metal–insulator transition / N.A. Poklonskii, N.I. Gorbachuk, I.V. Pototskii, D.A. Trofimchuk // Inorganic Materials. —2004. —V. 40, № 11. —P. 1133—1137) [doi: 10.1023/B:INMA.0000048209.93137.12]
9. Автоматизированный контроль инжектированного в базу заряда и времени восстановле-ния обратного сопротивления мощных быстродействующих диодов / Н.А. Поклонский, С.В. Шпаковский, Н.И. Горбачук, А.А. Шандицев // Вестн. Белорус. гос. ун-та. Сер. 1.— 2005.— № 2.— С. 18—22.
10. Наноструктурирование кристаллических зерен природного алмаза ионизирующим излу-чением / Н.А. Поклонский, Т.М. Лапчук, Н.И. Горбачук, В.А. Николаенко, И.В. Бачучин // ФТП.— 2005.— Т. 39, № 8.— С. 931—934. (Nanostructuring of crystalline grains of natu-ral diamond using ionizing radiation / N.A. Poklonski, T.M. Lapchuk, N.I. Gorbachuk, V.A. Nikolaenko, I.V. Bachuchin // Semiconductors.— 2005.— V. 39, № 8.— P. 894—897.) [doi: 10.1134/1.2010681]
11. Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+–n-переходов, об-лученных быстрыми электронами / Н.А. Поклонский, С.В. Шпаковский, Н.И. Горбачук, С.Б. Ластовский // ФТП.— 2006.— Т. 40, № 7.— С. 824—828. (Negative capacitance (impedance of the inductive type) of silicon p+–n junctions irradiated with fast electrons / N. A. Poklonski, S. V. Shpakovski, N. I. Gorbachuk, S. B. Lastovskii // Semiconductors.— 2006.— V. 40, № 7.— P. 803—807.) [doi: 10.1134/S1063782606070128]
12. Magnetoresistive effect and impedance spectroscopy of Co-implanted polyimide / V. N. Popok, M. G. Lukashevich, N. I. Gorbachuk, V. B. Odzhaev, R. I. Khaibullin, I. B. Khaibullin // Physica status solidi (a).— 2006.— V. 203, № 7.— P.1545–1549. [doi: 10.1002/pssa.200563121]
13. Анализ форм линий электронного парамагнитного резонанса каменных углей / С. Мунх-цэцэг, Н.А. Поклонский, А.В. Хомич, Н.И. Горбачук, Н.М. Лапчук // Вестник Бел. гос. ун-та, Сер. 1.— 2007.— № 3.— С. 49—55.
14. Формирование красящих комплексов в стеклах, окрашенных оксидами церия и титана / Е.Е. Трусова, Н.М. Бобкова, В.С. Гурин, Н.И. Горбачук // Стекло и керамика. — 2007. — № 10. — C. 13–15. (Formation of coloring complexes in glass colored with cerium and tita-nium oxides / E.E. Trusova, N.M. Bobkova, V.S. Gurin, N.I. Gorbachuk // Glass and Ceramics. — 2007. — V. 64, № 9-10. — P. 346–348.) [doi: 10.1007/s10717-007-0086-4]
15. Electrical properties of silicon diodes with p+n junctions irradiated with 197Au+26 swift heavy ions / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, A.V. Petrov, S.B. Lastovskii, D. Fink, A. Wieck // Nucl. Instr. and Meth. B.— 2008.— V. 266, № 23.— P. 5007—5012. [doi: 10.1016/j.nimb.2008.09.001]
16. Моделирование тока в цепи «p+n-переход + резистор» и определение времени жизни не-основных носителей заряда / Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, А.П. Гардей, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, А.Т. Власов // Изв. НАНБ. Сер. физ.-мат. наук.— 2009.— № 2.— С. 82—93.
17. Kinetics of reverse resistance recovery of silicon diodes: the role of the distance the metallurgi-cal p+n-junction-defect layer formed by 250 MeV krypton implantation / N.A. Poklonski,N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skuratov, A. Wieck // Physica B.— 2009.— V. 404, № 23-24.— P. 4667—4670. [doi: 10.1016/j.physb.2009.08.129].
18. Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облу-ченных электронами / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, С.Б. Ластов-ский, A. Wieck // ФТП.— 2010.— Т. 44, № 3.— С. 397—401. (Influence of radiation defects on electrical losses in silicon diodes irradiated with electrons / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, S.B. Lastovskii, A. Wieck // Semiconductors.— 2010.— V. 44, № 3.— С. 380—384.) . [doi: 10.1134/S1063782610030188].
19. Электропроводность пленочных композитов SiO2 – γ-Fe2O3 во влажном воздухе / А.В. Адакимчик, Н.И. Горбачук, М.И. Ивановская, Д.А. Котиков, М.Г. Лукашевич, В.Б. Оджа-ев, Ю.В. Сидоренко // Журн. физ. хим.— 2010.— Т. 84, № 4.— С. 773—778. (The depend-ence of the conductivity of SiO2–g-Fe2O3 film composites on air humidity / A.V. Adakimchik, N.I. Gorbachuk, M.I. Ivanovskaya, D.A. Kotikov, M.G. Lukashevich, V.B. Odzhaev, Yu.V. Sidorenko // Russian Journal of Physical Chemistry A.— 2010.— V. 84, № 4.— P. 684—688.) [doi: 10.1134/S003602441004028X]
20. Impedance and barrier capacitance of silicon diodes implanted with high-energy Xe ions / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, S.B. Lastovskii, V.A. Skuratov, A. Wieck, V.P. Markevich // Microelectronics Reliability.— 2010.— V. 50, № 6.— P. 813—820. [doi: 10.1016/j.microrel.2010.02.007].
21. Эквивалентная схема замещения кремниевых диодов, облученных высокими флюенсами электронов / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, С.В. Шпаковский, A. Wieck // ЖТФ.— 2010.— Т. 80, № 10.— С. 74—82. (Equivalent circuit of silicon diodes subjected to high–fluence electron irradiation / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, S.V. Shpakovski, S.B. Lastovskii, A. Wieck // Technical Physics.— 2010.— V. 55, № 10.— С. 1463—1471.) [doi: 10.1134/S1063784210100117].
22. Импеданс композитов Si/SiO2 в окрестности порога протекания / Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук, Д. Алейникова // ФТТ.— 2011.— Т. 53, № 3.— С. 433—437. (Poklonski N.A., Gorbachuk N.I., Aleinikova D. Impedance of Si/SiO2 composites in the vicinity of the percola-tion threshold // Physics of the Solid State.— 2011.— V. 53, № 3.— P. 462—466.) [doi: 10.1134/S1063783411030231]
23. AC-Conductivity of Thin Polycrystalline Tin Dioxide Films / V.K. Ksenevich, N.I. Gorbachuk, T.A Dauzhenka, I.A. Bashmakov, N.A. Poklonski, A.D.Wieck. // Acta Physica Polonica A.— 2011.— V. 119, № 2.— P. 146—147. . [URL: http://przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/119/a119z2p16. pdf]
24. Effect of fluences of irradiation with 107 MeV krypton ions on recovery charge of silicon p+n-diodes / N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, M.I. Tarasik, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, S.B. Lastovskii, V.A. Skuratov, A. Wieck, T. Kołtunovicz // Acta Physica Polonica A.— 2011.— V. 120, № 1.— P. 111—114. . [URL: przyrbwn.icm.edu.pl/APP/PDF/120/a120z1p28.pdf].
25. Оптическая спектроскопия поверхности нанопористых алмазных пленках / А.В. Хомич, М.В. Канзюба, И.И. Власов, В.Г. Ральченко, Н.И. Горбачук // ЖПС. —2011. —Т. 78, № 4. —С. 601—609. (Optical spectroscopy of the surface of nanoporous diamond films / A. V. Kho-mich, M. V. Kanzyuba, I. I. Vlasov, V. G. Ral’chenko and N. I. Gorbachuk // Journal of Applied Spectroscopy. —2011. —V. 78, № 4. —С. 563-571.) [doi: 10.1007/s10812-011-9499-5].


Статьи в сборниках материалов конференций
1. Hydrogen participation in transformation of nitrogen hold defects of natural diamond / N.A. Poklonski, N.M. Lapchuk, N.I. Gorbachuk, T.M. Lapchuk // Proc. of ADC/FCT-99 (Applied Diamond Conf. /Frontier Carbon Technol. Joint Conf. 1999), Tsukuba, Aug.31 — Sept.3, 1999 / AIST—Tsukuba Research Center. —Tsukuba, 1999. —P 450—453.
2. Bashun A.V., Gorbachuk N.I., Lapchuk N.M., Poklonski N.A. The features of paramagnetic nitrogen distribution in synthetic diamonds // Physics, Chemistry and Application of Nanostruc-tures: Review and Short Notes to Nanomeeting-99, Minsk, 17—21 May 1999 / Eds. V.E. Borisenko, A.V. Filonov, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. —Singapore: World Scientific Publishing Co., 1999. —P. 163—165. [URL: http://ebooks.worldscinet.com/ISBN/9789812817990/preserved-docs/9789812817990_0035.pdf]
3. Поклонский Н.А., Горбачук Н.И. Высокочувствительные резистивные датчики на основе неупорядоченных гетерогенных систем // "Датчики и преобразователи информации сис-тем измерения, контроля и управления": Сб. материалов XIV научно-техн. конф. с уча-стием зарубежных специалистов, Судак, 24–31 мая 2002 / Московский государственный институт электроники и математики (Технический университет); Под ред. В.Н. Азарова. —М., 2002. —С. 140—142.
4. N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, A.V. Ermakova, S.V. Shpakovski, V.A. Filipenia, V.A. Skura-tov, A. Wieck, Influence of the submicron layer of the irradiation-induced defects on the capaci-tance of silicon pn-diodes // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures: Review and Short Notes to Nanomeeting-2011, Minsk, 24–27 May 2011 / Eds. V.E. Borisenko [et al.].— Singapore: World Scientific, 2011.— P. 543-546. [URL: http://ebooks.worldscinet.com/ISBN/9789814343909/preserved-docs/9789814343909_0128.pdf]


Патенты
1. Патент РБ № 3673, МПК6 G 01 T 1/02. Дозиметр поглощенной дозы ионизирующего из-лучения / Горбачук Н.И., Гурин В.С., Поклонский Н.А., Рахманов С.К., Стельмах В.Ф. Заявитель БГУ.— № 970691; заявл. 4.12.97; опубл. 30.12.2000 г. // Афiцыйны бюлетэнь. —2000. № 4(27). —С. 205.
2. Пат. 14221 Респ. Беларусь МПК (2009) H 01C 17/075, С 23С 16/22. Способ получения тонкопленочной резисторной структуры / Р.Н. Грицкевич, Н.А. Поклонский, Н.И. Горба-чук, Е.П. Шпак. Заявитель Физ.-тех. ин-т НАНБ.— № а 20090606; заявл. 23.04.2009; опубл. 30.04.2011 // Афiцыйны бюл. Нац. цэнтр інтэлектуал. уласнасці.— 2011.— № 2(79).— С. 136.
3. Патент РБ № 15041 МПК (2009) G 01 N 27/02. Способ определения влажности окружаю-щей среды / М.Г.Лукашевич, В.Б. Оджаев, Н.И. Горбачук, М.И. Ивановская, Д.А. Коти-ков, Ю.В. Сидоренко. Заявитель БГУ.— № а 20091775; заявл. 12.11.2009; опубл. 13.07.2011 // Афiцыйны бюл. Нац. цэнтр інтэлектуал. уласнасці.— 2011.— № 5(82).— С. 170.

)
© Белорусский государственный университет
Адрес: пр. Независимости, 4, 220030, г. Минск, Республика Беларусь.
Тел. + 375 17 209 50 44. Факс. + 375 17 226 59 40. Url: .