Рус Бел Eng De Cn Es Ar
Квасов Николай Трофимович

 

Родился 15 марта 1949 года в станице Ново-Владимировской Тбилисского района Краснодарского края в семье врача.
После окончания 8 классов Ново-Владимировской средней школы в 1964 году поступил на среднетехнический факультет Воронежского политехнического института, который окончил в 1968 году по специальности «Полупроводниковые приборы». По распределению Министерства электронной промышленности СССР был направлен на НПО «Интеграл», где работал до 1970 года.
С 1970 по 1972 г.г. проходил службу в рядах Советской армии. В 1972 году поступил на физический факультет Белорусского государственного университета, который окончил по специальности «Физика».
До 1979 года занимался исследованиями физики отказов интегральных микросхем на НПО «Интеграл».
С 1979 года Квасов Н.Т. работал старшим инженером в научно-исследовательском институте средств автоматизации. С 1980 г. перешел на работу в Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (БГУИР): 1980 – младший научный сотрудник, 1982 – старший научный сотрудник, 1987 – заведующий научно-исследовательской лабораторией, 1991 – доцент кафедры микроэлектроники, 1993 – профессор кафедры микроэлектроник, с 1994 по 2013 годы – заведующий кафедрой физики БГУИР, с 2013 года главный научный сотрудник НИЧ БГУ.
В 1984 году Квасов Н.Т. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков». В 1992 году защищена диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности «Физика твердого тела». В 1995 году присвоено ученое звание профессора.
Область научных исследований Квасов Н.Т. – физика реальных кристаллов, радиационная физика твердого тела, модификация свойств твердых тел пучками ускоренных ионов, плазмой, потоками интенсивного электромагнитного излучения. Теоретические и экспериментальные работы Квасова Н.Т. посвящены исследованию процессов радиационно-стимулированного изменения структуры и, соответственно, свойств твердых тел. Это – целенаправленное «конструирование» дефектно-примесной системы заданного состава и ее распределения в образце, что обеспечивает формирование определенных электрических, упругих, оптических и др. свойств полупроводниковых, металлических и диэлектрических кристаллов.
Квасов Н.Т. разработал физические основы экспериментального определения термодинамических характеристик реальных кристаллов и с сотрудниками впервые детально исследовал релаксационные процессы в сложных легированных структурах, что явилось существенным вкладом в развитие теории надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Он автор 31 авторского свидетельства на изобретения и 2-х патентов, относящихся к созданию радиационных технологий в микро- и наноэлектронике, а также к разработке способов контроля структурных нарушений в кристаллах путем анализа прошедшего или отраженного мессбауэровского, нейтронного и лазерного излучений.
Квасов Н.Т. участвовал в разработке физических основ вакуумной низкотемпературной технологии получения новых типов инфракрасных датчиков, используемых в современных системах военного, научного и бытового применения

  п/п

Название

Напечатана или на правах рукописи

Издательство, журнал (название, номер, год) или номер авторского свидетельства

Кол-во печ. листов или  страниц

Фамилии соавторов

1

2

3

4

5

6

1

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №151226, открытая публикация запрещена, 1980.

 

Шеломенцев Т. И.

Константинков В.А.

2

Исследование напряженного состояния решетки кремния при облучении низкоэнергетическими ионами

П.

В кн. «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом». – Минск, 1981. – С.162.

3

Полонин А. К.

Карпов В. Е.

3

Применение голографических методов анализа статического НДС объектов для неразрушающего контроля.

П.

Журнал АН СССР «Дефектоскопия». – 1981, №12.

8

Полонин А.К.

 

4

Оценка геометрических характеристик дефектов внутренней структуры твердых тел при использовании голографических методов контроля.

П.

В кн. «Лазеры в науке и технике». – Ленинград, 1981.

2

Полонин А. К.

Карпов В. Е.

5

Исследование влияния УЗ  колебаний на процессы формирования тонких пленок в вакууме.

П.

Тез. докл. ВНТК «Прочность и пластичность материалов в УЗ поле». – Алма-Ата, 1981.

2

Полонин А. К.

Карпов В. Е.

6

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №915770, открытая публикация запрещена, 1981.

 

Хлопов Ю. Н.

Полонин А. К.

7

Способ контроля герметичности.

П.

А.С. №838484, Т.И. №22, 1981.

 

Прохоренко Н. Л.

8

Исследование НДС ГИС в электрическом режиме в зависимости от их конструктивно-техноло-гического исполнения.

П.

 В кн. «Прогрессивная технология ГИС». – М. : ЦНИИИТЭИ, 1982.

2

Полонин А. К.

 

9

Голографические методы контроля теплового и НДС ГИС,

П.

Там же.

2

Полонин А. К.

Бочкарев Л. К.

10

Двухканальный лазерный интерферометр для локального измерения поверхности деформаций ГИС.

П.

Там же.

2

Полонин А. К.

Мотуз А. Н.

11

НДС и деградация структур микроэлектроники при наработке.

П.

В кн. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». – Кишинев, 1982.

1

Бочкарев Л. К.

12

Динамика кристаллической решетки при взаимодействии с пучками ускоренных ионов.

П.

Тез. докладов  ХП Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами». – М. : 1982.

1

Полонин А. К.

 

13

Закономерности изменения свойств кристаллической структуры кремния после ионной имплантации.

П.

 В кн. «Ионная имплантация в полупроводниках  и других материалах». – Вильнюс, 1982.

С. 67 -68

Буткус

Вайткус

Лабунов В. А.

Ярошюнас К.

14

Исследование напряженного состояния кристаллической решетки кремния после ионной имплантации и импульсного фотонного отжига.

П.

Там же.

2

Пилипенко

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

Стержанов

15

Исследование динамики отжига легированных структур.

П.

Тех. докладов ВНТК по проблемам микроэлектроники. – М. : 1982.

2

Полонин А. К.

Карабухина Л. В.

16

Лазерные методы контроля НДС пластин кремния в процессе производства электронной техники.

П.

Тез. докладов РНТК «Проблемы применения лазерной и опто-электронной техники в народном хозяйстве». – Мн.: 1982.

2

Прохоренко Н. Л.

Кунаев

17

Исследование процесса лазерного отжига методом голографической интерферометрии.

П.

Там же.

2

Бочкарев Л. К.

Кунаев

Прохоренко Н. Л.

18

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №934800, открытая публикация запрещена, 1982.

 

Беляев Р. К.

Полонин А. К.

19

Способ измерения шероховатости поверхности.

П.

А.С. №945652, №27, 1982.

 

Беляев Р. К.

Полонин А. К.

Карпов В. Е.

20

Способ контроля дефектов материалов и изделий.

 

П.

А.С. №945761  от 23.03.82.

 

Полонин А. К.

21

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №984280, открытая публикация запрещена, 1982.

 

Полонин А. К.

 

22

Устройство для измерения перемещений поверхности объекта.

П.

А.С. №1011505, от 14.12.82.

 

Полонин А. К.

Корешков Г. А.

23

Устройство контроля двигателя внутреннего сгорания.

П.

А.С. №932346, Б.И. №20, 1982.

 

Шеломенцев Т. И.

Константинов В. А.

24

Способ исследования свертываемости крови.

П.

А.С. №985743, Б.И. №48, 1982.

 

Святковский В. А.

Полонин А. К.

 

25

Оптоэлектронные микрофоны.

П.

Тез. докладов ВНТК «Теория и практика конструирования РЭА». – Москва Я Махачкала, 1982.

1

Немченок А. С.

 

26

Термоупругие эффекты в реальных кристаллах.

П.

Доклады АН БССР. – Т. 27, вып. 8,  1983

3

Лабунов В. А.

27

Динамические эффекты в кристаллической решетке при ионной имплантации.

П.

Доклады АН БССР. – Т. 27, вып. 7,  1983

3

Лабунов В. А.

Полонин А. К.

28

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №1032874, открытая публикация запрещена, 1983.

 

Варикаш В. М.

Полонин А. К.

Мотуз А. Н.

29

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №999945, открытая публикация запрещена, 1983.

 

Лабунов В. А.

Полонин А. К.

 

30

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №1060003, открытая публикация запрещена, 1983.

 

Прохоренко Н. Л.

Полонин А. К.

 

31

Устройство для измерения параметров движения объекта.

П.

А.С. №1000748, Б.И. №8, 1983.

 

Полонин А. К.

 

32

Способ контроля амплитуды и формы колебаний объектов.

П.

А.С. №1040328, Б.И. №33, 1983.

 

Мотуз А. Н.

Корешков Г. А.

33

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №1021300, открытая публикация запрещена, 1983.

 

Лабунов В. А.

Прохоренко Н. Л.

Полонин А. К.

 

34

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №1074338, открытая публикация запрещена, 1983.

 

Ивакин Е. В.

Полонин А. К.

 

35

Исследование изменения упругих констант монокристаллического кремния после ионной имплантации.

 П.

Материалы международной конференции по микроэлектронике. – Австрия, Вена, 1983.

12

Лабунов В. А.

Полонин А. К.

Бенеш

Виммер

36

Исследование упругих характеристик монокристаллического кремния с помощью дифракции инфракрасного излучения на УЗ решетки.

П.

Там же.

14

Полонин А. К.

Бенеш

Хертл

37

Лазерно-голографическое устройство контроля механических напряжений в полупроводниковых структурах.

П.

Тез. докладов РНТК «Пути совершенствования техпроцессов, материалов и оборудования». – Мн. : 1983.

1

Прохоренко Н. Л.

38

Устройство для контроля динамики прогиба полупроводниковых пластин в процессе термообработки.

П.

Там же.

1

Мотуз А. Н.

Прохоренко Н. Л.

39

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №1007515, открытая публикация запрещена, 1984.

 

Карабухина Л. В.

Прохоренко Н. Л.

Полонин А. К.

 

40

Способ контроля механических напряжений в полупроводниковой пластине.

П.

А.С. №1087779, Б.И. №15, 1984.

 

Лабунов В. А.

Прохоренко Н. Л.

Полонин А. К.

Карпов В. Е.

41

Динамика напряженно-деформированного состояния имплантированных пластин кремния в процессе импульсного фотонного отжига.

П.

В кн. «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом». – Мн. : ч.П, 1984.

1

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

42

Тепловые поля и механические напряжения в имплантированных пластинах кремния при импульсном фотонном отжиге.

П.

Там же.

2

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

43

Акустооптический метод контроля концентрации примеси бора и фосфора.

П.

Там же.

2

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

44

Об одном механизме генерации волн упругих колебаний при импульсном фотонном отжиге.

П.

Там же.

2

Метелица Н. М.

Полонин А. К.

Немченок А. С.

45

О внутрикристаллическом трении при торможении ионов в решетке.

П.

Там же.

3

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

Скобля В. Е.

Метелица Н. М.

46

Эмиссионные эффекты при взаимодействии ускоренных ионов с кристаллами.

П.

Там же.

2

Прохоренко Н. Л.

Скобля В. Е.

 

47

Радиационно-стимулированные колебательные процессы в решетке при ионной имплантации и формирование дефектно-примесной системы кристалла.

П.

Там же.

2

Лабунов В. А.

Полонин А. К.

Ярашюнас К.

48

К теории структурных фазовых превращений.

П.

Там же.

3

 

49

Механические напряжения и внутренне трение в имплантированных монокристаллах кремния при импульсном фотонном отжиге.

П.

Там же.

2

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

 

50

Методика и аппаратура для исследования теплофизических характеристик полупроводниковых структур при импульсной термообработке.

П.

Там же.

3

Науменко Н.Н.

51

Влияние НДС полупроводниковых структур на релаксацию электрофизических параметров.

П.

В кн. «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом». – Мн. : ч. I, 1984.

2

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

 

52

О перераспределении примеси в ионно-легированном кремнии при импульсном фотонном отжиге.

П.

Тез. докладов Международной конференции «Модификация импульсами энергии полупроводниковых и др. материалов». – Дрезден, ГДР, 1984.

1

Лабунов В. А.

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

 

53

Исследование внутриструктурных напряжений, сформированных при ионной имплантации.

П.

Там же.

1

Лабунов В. А.

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

54

Резонансный акустооптический способ контроля напряженного состояния поверхности тонких пластин.

П.

Международный симпозиум «Прочность материалов и элементов конструкций при звуковых УЗ частотах нагружения». – Киев, 1984.

1

Полонин А. К.

Дидковский

55

Лазерно-голографическая диагностика напряженно-деформиро-ванного состояния поверхности полупроводниковых пластин.

П.

Международная конференция «Лазерные процессы и диагностика». – Австрия, Вена. – 1984.

1

Лабунов В. А.

Полонин А. К.

Фибек

Бенеш

 

56

Релаксация напряженного состояния структуры кремния и изменение электрофизических параметров.

П.

Тезисы Ш Всесоюзного совещания «Физика отказов». – Москва – Суздаль, 1984.

1

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

 

57

Влияние НДС кремния на дефектную структуру при импульсном фотонном отжиге.

П.

Тез. докладов IV Всесоюзного со-вещания по де-фектам структу-ры в полупровод-никах. – Новоси-бирск, 1984.

 

1

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

 

58

О миграции примеси при импульсной световой обработке кремния.

П.

Изв. АН БССР, №3, 1984.

3

Лабунов В. А,

Островерхов

59

Исследование напряженного состояния в пленках на кремнии.

П.

Тез. докладов V ВНК «Тонкие пленки в технологии полупроводниковых приборов и ИМС». – 1984.

2

Прохоренко Н.Л.

60

Исследование легированного кремния после импульсной термообработки лазерно-голографи-ческим способом.

П.

Международная конференция «Лазерные процессы и диагностика». – Австрия, Вена. – 1984.

3

Борисенко В. Е.

Грибковский  В.

61

О сечении взаимодействия УЗ волны со структурными нарушениями в твердом теле.

П.

Известия АН БССР, №2, 1985.

3

 

62

Исследования напряженного состояния монокристаллического кремния после бомбардировки ионами бора и фосфора.

П.

Тез. докладов ХV Всесоюзного со-вещания по физи-ке взаимодей-ствия заряженных частиц с кристал-лами. – М. : 1985.

1

Лабунов В. А.

Прохоренко Н. Л.

63

О некоторых аспектах модели процесса аморфизации монокристаллов полупроводников при ионной имплантации.

П.

В кн. «Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники». – Минск, 1985.

1

 

64

Контроль степени отжига ионно-имплантированного кремния по дифракции света.

П.

Там же.

1

Ионикас

Ярашюнас К.

65

Роль динамических и статических механических напряжений в процессах формирования микроэлектронных структур при ионно-фотонной обработке.

П.

Там же.

1

 

66

Кинетика нагрева и охлаждения кремниевых пластин при импульсном отжиге галогенными источниками  света.

П.

Тез. докладов ВНТК  «Состояние и перспективы развития микроэлектроники и микроэлектронной техники». – Мн., ч. Ш. – 1985.

2

Науменко Н. Н.

Прохоренко Н. Л.

67

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №1159458, открытая публикация запрещена, 1985.

 

Прохоренко Н. Л.

Полонин А. К.

 

68

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №1159459, открытая публикация запрещена, 1985.

 

Прохоренко Н. Л.

Полонин А. К.

 

69

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №1136677, открытая публикация запрещена, 1985.

 

Прохоренко Н. Л.

Кунцевич В. В.

 

70

Авторское свидетельство.

П.

А.С. №1123464, открытая публикация запрещена, 1985.

 

Прохоренко Н. Л.

Полонин А. К.

 

71

Способ отжига радиационных дефектов в полупроводниках.

П.

А.С. №1204085, открытая публикация запрещена, 1985.

 

Прохоренко Н. Л.

 

72

Контроль релаксации механи-ческих напряжений в полу-проводниковых структурах.

П.

Тез. докладов ВНТК «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». – 1986.

2

Музыченко О. М.

73

Кинетика распределения температур в кремниевых пластинах при отжиге импульсами света секундной длительности.

П.

Межведомственный сборник «Радиотехника  и электроника». – 1986, вып. 15. – С. 113-118.

10

Науменко Н.Н.

Шиманович

Прохоренко Н. Л.

74

Способ контроля физико-механических характеристик нарушенного поверхностного слоя полупроводниковых пластин.

П.

А.С. №1226069, Б.И. №15, 1986.

 

Полонин А. К.

Дидковский В. С.

Музыченко О. М.

75

Закономерности движения атомов и радиационно-стимулиро-ванные упругие колебания в кристаллической решетке при облучении потоками заряженных частиц.

П.

Известия АН БССР, сер. физ.-мат. наук. – 1987, т.1.

1

Лабунов В. А.

76

Термодинамика приповерхностного слоя кремния при ионном легировании.

П.

Тез. докладов ВНТК по физике взаимодействия заряженных час-тиц с кристал-лами. – М. : 1987.

1

 

77

Имплантация примесей замещения в кремнии: секундный отжиг, механические напряжения, электрофизические параметры.

П.

Тез. докладов ВНТК «Ионно-лучевая модифи-кация материалов».  – М. : 1987.

1

Борисенко В. Е.

Юдин

78

Сравнительный анализ термического и импульсного фотонного отжига легированных слоев кремния.

П.

Тез. докладов Международной конференции «Модификация импульсами энергии полупроводников и других материалов». – Дрезден, 1987.

1

Полонин А. К.

Прохоренко Н. Л.

Супрун-Белевич

79

Стимулированная диффузия имплантированной примеси  в кремнии в поле собственных упругих напряжений.

П.

В кн. «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом». – Мн. :  1987. – С.356-358.

3

Борисенко В. Е.

Юдин

80

Особенности структурных изменений в монокристаллическом кремнии при ионной имплантации и импульсном фотонном отжиге.

П.

В кн. «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом». – Мн.: ч. I, 1987. – С. 151-154.

3

 

81

Исследование структуры кремния после радиационного облучения.

П.

В кн. «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом». – Мн.: ч. 4, 1987.

3

Ярошюнас К.

Ионикас

82

Способ контроля механических напряжений в полупроводниковой  пластине.

П.

А.С. №1389393 от 15.12.1987 не публикуемое

 

Полонин А. К.

Лебедева Н. М.

83

Исследование кинетики упорядочения дефектно-примесной системы кремния после ионной имплантации

П.

«Физика и техника полупроводников». – Т.2, вып.5. – 1988. – С.806-810.

7

Ярошюнас К.

Ионикас

84

Механические напряжения и подведение имплантированных примесей замещения в кремний при секундной термообработке.

П.

Извести АН БССР, сер. физ.-технич. наук, №1. – 1988.

7

Борисенко В. Е.

Грибковский В.

85

Лазерно-голографический метод для исследования динамических деформаций полупроводниковых материалов в процессе импульсной фотонной термообработки.

П.

Материалы Международной конференции «импульсные методы в микроэлектронике». – Китай, Пекин. – 1988.

3

Прохоренко Н. Л.

Полонин А. К.

 

 

86

Способ исследования физических свойств крови.

П.

А.С. №1443575 от 08.08.1988, без права публикации

 

Святковский В.А.

 

 

87

Способ измерения механических напряжений в пластине.

П.

А.С. №1410641 от 15.03.1988, без права публикации

 

Музыченко О. М.

Домашев Ю. Г.

88

Контроль остаточных механических напряжений в полупроводниковых пластинах акусто-резонансным способом.

П.

Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. – 1989, вып. 1. – С. 69-72.

7

Музыченко О. М.

89

Термодинамическое состояние монокристаллического кремния после ионного легирования бором и импульсной термообработки.

 

П.

Физика и химия обработки материалов. – №5. 1989. – С. 45-49.

5

 

90

Шаровая молния: гипотезы и факты.

П.

Монография. Изд-во «Университетское». – 1989.

100

 

91

Релаксационные процессы в кремнии при различных видах термической обработки. П.

П.

Тез. докладов ХIХ ВНТК по физике взаимодействия заряженных час-тиц с кристал-лами. – М. : 1989. – С. 184.

1

Шилина С. Ю.

92

О закономерности распределения структурных нарушений в антимониде индия за пределами зоны торможения ионов.

П.

Там же, с.183.

1

Ярашюнас К.

93

Способ измерения механических напряжений изделий.

П.

А.С. №1558145 от 15.12.1989.

 

Мотуз А. Н

Копоть А. И.

94

Способ контроля упругих характеристик материалов.

П.

А.С. №1601553 от 22.06.1990.

 

Полонин А. К.

Шилин С. Ю.

95

О закономерности распределения структурных нарушений в полупроводниках за пределами зоны торможения ионов.

П.

ФХОМ, №5. – 1990. – С. 9-13.

4

Ярашюнас К.

Шилина С. Ю.

96

Ионно-фотонная обработка полупроводников и поведение примесей замещения в кристаллах.

П.

Известия АН БССР,  №5. – 1990. – С. 121.

2

 

97

Критические явления в кремнии при ионном легировании.

П.

Известия АН БССР,  №2. – 1991. – С. 120.

2

 

98

Термоупругие эффекты в полупроводниках при ионно-лучевом травлении и проблема дальнодействия.

П.

ФХОМ, №4. – 1991.

3

Родионов Ю. А.

99

Закономерности формирования упругих напряжений в структурах полупроводник – диэлектрик.

П.

В кн. «Международная конференция по микроэлектронике». – Мн. : т.1. – 1992.

1

Сологуб Л. В.

100

Квантовая механика и статистическая физика.

П.

Учебно-методи-ческое пособие. – МРТИ, ч. I, II. – 1992.

50

 

101

Квантовая механика и статистическая физика.

П.

Учебно-методи-ческое пособие. – БГУИР, ч. III. – 1994.

46

 

102

Динамические явления в кристаллах при ионно-лучевой модификации поверхности.

П.

В кн. «Физика и техника плазмы». – Мн. :  т.1. – 1994. – С. 224-227.

4

 

103

Эксимерные источники с большой площадью излучения и возможность их применения для изготовления изделий электронной техники

П.

Тез.докл. НТК «Направления и перспективы  развития микроэлектронной элементной  базы», Минск, 1994.

1

Прокопович В.П.

104

Основные понятия и категории в физике микромира.

П.

Учебно-методи-ческое пособие по квантовой физике.

47

Леонович А.А.

105

Фундаментальные взаимодействия. Гравитационное поле.

П.

Учебно-методи-ческое пособие по курсу физики.

19

Леонович А.А.

106

Загадка движения (Мир и его описание).

П.

Журнал «Человек, общество, мир», №7, 1997.

20

 

107

Акустическая релаксация решетки в облучаемых ионами кристаллах.

П.

Журнал «Весці АН В», сер.физ.-мат.н., №3, 1997.

3

Сологуб Л.В.

108

Моделирование колебаний в физике.

П.

Тез. 52 НТК, Минск, 1997, ч.6, с.180.

1

Савилова Ю.И.

109

Моделирование процессов диффузии примесных атомов вблизи границ раздела фаз с учетом дрейфа частиц в поле упругих напряжений.

П.

В сб. «Низкоразмерные системы», БГУ, Минск, 1997. – С.76-79.

3

Величко О.И.

110

Моделирование многокомпонентных систем физики

П.

Тез. докладов конференции «современные технологии образования», Могилев–Минск, 1998. – С.53.

1

Савилова Ю.И.

111

Acoustic microscopy of ion-doped silicon and the long-range effect.

П.

Alstracts International Conference IBMM-98, Amsterdam, 1998, p.31.

1

 

112

The disklination model, of amorphous state of ion-doped semiconductions.

П.

Там же, р.112.

1

 

113

Моделирование связанных колебаний.

П.

Тез.докл.конф. «Проблемы теории и методики преподавания математики, физики и информатики», Минск, 1998. – С.76.

1

Савилова Ю.И.

114

Численное решение системы уравнений переноса и квазихимических реакций в низкоразмерных системах.

П.

В сб. «низкоразмерные системы», Минск, 1998. – С.69-71.

3

Величко  О.И.

115

Необходимость трансформации общего курса физики в условиях становления технического университета.

П.

 В кн. «Научно-исследовательский принцип в организации  университетского образования», 1998. – С.106-111.

6

Дынич Р.А.

116

Компьютерное моделирование функций состояния.

П.

Материалы 53 Международной конференции, Минск, 1998. – С.84.

1

Савилова Ю.И.

117

Компьютерное моделирование в физике.

П.

Тез. докл. научно-методич. конф. «Научно-методические проблемы совершенствования подготовки специалистов». - Минск: изд. БГУИР, 1999.

1

Савилова Ю.И.

 

118

Электрическое и магнитное взаимодействие заряженных частиц.

П.

Учебно-методическое пособие для лекционных, практических и лабораторных занятий по курсу «Физика». - Минск: БГУИР, 1999.

38

 

 

119

Релаксация зарядового и напряженного состояний Si-SiO2, Si-Si3N4.

П.

Материалы Международной конференции “Radiation Effects in Insulatir 10”,1999,  Iena, Germany.

1

Сологуб Л.В.

 

120

Программа моделирования процессов переноса и квазихимических реакций в низкоразмерных системах.

П.

Матер. конф. по Межвузовской программе фундаментальных исследований «Физические основы получения, диагностики и применения низкоразмерных элементов и систем».- Минск: Изд-во БГУ, 2000.

3

Величко О.И.

 

121

Динамические эффекты  в металлах при плазменно-имерсионной ионной имплантации.

П.

Физика и химия обработки материалов (Россия),  № 4, 2000 г.

6

Анищик В.М.,

Данилюк А.Л., Углов В.В.

 

122

Modelling of the process of the mass transfer and defect formation during impulse plasma implantation of nitrogen in iron.

П.

III International symposium: Ion implan tation  and other application of ions and electrons. Poland, 2000.

 

2

 

 

123

Взаимодействие дефектов и коллективные эффекты в облучаемых кристаллах.

П.

Труды Х Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела» (Россия), 2000.

7

Анищик В.М.,

Данилюк А.Л., Углов В.В.

 

124

Динамические эффекты и дефектообразование в железе при

 ПИИИ.

П.

Тез.докл. ХХХ Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, МГУ, 2000.

1

Анищик В.М.,

Данилюк А.Л., Углов В.В.

 

125

Dynamic effects in metals due plasma impylse ion implantation.

П.

III International Conference “Plasma Physics and Plasma Technology. Minsk, 2000, Contributed Papers, Volume II.

4

Anishchik V.M.,

Danilyuk A.,

Uglov  V.,

 

126

Явление дальнодействия в кристаллах при ионном легировании.

П.

Тез. Докл. V Всероссийского семинара «Физические и физико- химичес-кие основы ионной имплантации».  11-13.10.2000  Н.Новгород.

3

Анищик В.М.,

Данилюк А.Л., Углов В.В.

 

127

От эфира Ньютона к физическому вакууму.

П.

ХYI Международные чтения, 2000, Минск, тезисы докладов.

3

 

 

128

Evolution of microstructure of instrumental AISI M2 steel after plasma immersion nitrogen and carbon implantation.

П.

Surface and Coatings Technology 136 (2001).

4

Uglov  V.,

Fedotova I.

 

129

Формирование периодических структур на поверхности кремния в плотном компрессионном плазменном потоке.

П.

Труды XI Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела». М., 2001 г.

5

Углов В.В.

 

139

Формирование субмикронных цилиндрических структур при воздействии на поверхность кремния компрессионным плазменным потоком.

 

П.

Письма в ЖЭТФ, т.74, вып.4,  2001. – С.234-236.

3

Углов В.В.

 

131

Plasma immersion N and N+C implantation in to high-speed, tool steel surface morphology, phase composition and mechanical properties.

П.

Surface and coating Technology, 2001, vol.142.

6

Kuleshov A.K.

 

132

Структурные изменения в облученных кристаллах за пределами зоны энергетического воздействия.

П.

Труды XXXI Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами М., МГУ, 2001.

1

Анищик В.М.

 

133

Модификация структуры и фазового состава углеродистых сталей плазменным потоком квазистационарного ускорителя.

П.

Труды XXXI Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами М., МГУ, 2001.

1

Асташинский В.М.

 

134

The effect of a dense compressive nitrogen Plasma flow, on silicon surface morphology.

П.

12th International Conference on Surface Modification of Modification of Materials by Ion Beams. Marburg, Germa-ny, 2001

1

Astashynski V.M.,

Uglov V.V.

 

135

Dept profile of internal residual stresses in high speed steel after plasma immersion nitrogen ion implantation.

П.

12th  International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams. Marburg, Germa-ny, 2001.

1

Kuleshov A.K.

 

136

The effect of dense compression plasma flow on silicon surface morphology.

П.

Surface and Coatings Technology. 2002. – р.273-276.

4

Anishchik V.M.,

Astashynski V.M.,

Uglov V.V.

 

137

Модификация структуры и фазового состава углеродистых сталей плазменным потоком квазистационарного ускорителя.

П.

Физика и химия обработки материалов. № 3, 2002.

 

7

Анищик В.М.,

Данилюк А.Л., Углов В.В.,

Асташинский  В.М.

 

138

Структурная модификация поверхности кремния в результате воздействия  компрессионным плазменным потоком.

П.

Сборник статей XII Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 2002.

8

Анищик В.М.,

Углов В.В.,

Асташинский  В.М.

 

139

Compressive Plasma Flows Interaction with Steel Surface:  Structure and Mechanical Properties.

 

П.

IV-th  Internal Symposium ION-2002, Poland.

1

Anishchik V.M.,

Astashynski V.M.,

Uglov V.V.

 

140

Synthesis of  nanometer – and  submicron – scale surface.

 

П.

International Symposium IBMM’02, Tokio, Japan, 2002.

1

Anishchik V.M.,

Astashynski V.M.,

Uglov V.V.

 

141

Surface modification under compression plasma flons  action.

П.

International Symposium PSE 2002, Carmich – Partenkirchen, Germania.

1

Anishchik V.M.,

Astashynski V.M.,

Uglov V.V.

 

142

Структурная модификация  поверхности кремния при воздействии на нее компрессионным плазменным  потоком.

П.

Тез. докл. ХХХII Международной конференции по физике  взаимодействия заряженных частиц с кристаллами,  М., 2002.

1

Углов В.В.,

Асташинский  В.М.

 

143

Нарушение структуры легированных кристаллов кремния за пределами зоны торможения ионов.

П.

Тез. докл. ХХХII Международной конференции по физике  взаимодействия заряженных частиц с кристаллами,  М., 2002.

1

Анищик В.М.,

Углов В.В.,

Сологуб Л.В.,

Ярмолик В.И.,

Данилюк А.Л.

 

144

Динамика кристаллизации и дефектообразование в кремнии при обработке импульсным компрессионным потоком.

П.

Тез. докл. ХХХII Международной конференции по физике  взаимодействия заряженных частиц с кристаллами,  М., 2002.

1

Углов В.В.,

Асташинский  В.М.,

Анищик В.М.

 

145

Напряженно-деформированное состояние в быстрорежущей стали при плазменно-иммерсионной имплантации азота.

П.

Тез. докл. ХХХI Международной конференции по физике  взаимодействия заряженных частиц с кристаллами,  Москва, 2002.

1

Углов В.В.,

Анищик В.М., Кулешов А.К., Данилюк А.Л.

 

146

Structural Modification of Silicon Surface by Compression Plasma Flow Action.

П.

ESCAM PIG  19. Conference  proceedings. Grenoble, France, 2002.

2

Astashynski V.M.,

Ananin S.I.

 

147

Compression Plasma Flow Action on Monocrystalline Silicon Surface.

П.

29 EPS Conference on Plasma Physics and Control Fusion. 17-21 June 2002. Montreux, Switzerland.

1

Astashynski V.M.,

Ananin S.I.

 

148

Динамика процессов плавления и кристаллизации монокристаллического кремния при  воздействии компрессионных плазменных потоков.

 

П.

4 Югославско-Белорусский симпозиум по физике и диагностике лабораторно и астрофизической плазмы. – Сока-Баня, Югославия, 2002.

1

Асташинский В.М.,

Жвавый С.П.

 

149

Исследование формирования цилиндрических структур кремния при радиальном ограничении плазменного слоя.

П.

4 Югославско-Белорусский симпозиум по физике и диагностике лабораторно и астрофизической плазмы. – Сока-Баня, Югославия, №74, 2002. – С.105-108.

4

Асташинский В.М.,

Ананин  С.И.

 

150

Formation o submicron cylindrical structures at silicon surface  exposed to a compession plasma flow.

П.

JETR Letters, Vol.74, No 4, 2001.

3

Astashynski V.M.,

Astashynski V.V.

 

151

Compressive Plasma Flows Interaction with Steel Surface: Structure and Mechanical Properties.

 

П.

Vacuum 2002, v/70, p.269-274.

 

6

Astashynski V.M.,

Ananin S.I.

 

152

Модификация поверхности кремния при воздействии на нее  компрессионных, плазменных  потоков.

 

П.

VI Krajowa Konferencija Techniki Prozni VII Polsko – Bialoruskie Materialy, 2002

2

Анищик В.М.,

Углов В.В.,

Асташинский В.М.

 

153

Воздействие компрессионных плазменных потоков на углеродистую сталь и кремний.

 

П.

Вакуумная техника и технология, 2002, т.12,

№ 2.

4

Асташинский В.М.,

Ананич С.И.

 

154

Моделирование процессов формирования цилиндрических структур на поверхности кремния при воздействии импульсом компрессионной плазмы (теория).

 

П.

Тез. докл. ХХХIII Международной конференции по физике  взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, 2003, М:МГУ.

1

Анищик В.М., Углов В.В.

 

155

Физика конденсированного состояния.

П.

Учебно-методическое пособие по курсу общей физики. - Мн.:

БГУИР, 2003

80

 

 

156

 Физика.

 

 

П.

Сборник тестов для поступления в ВУЗы. Мн.: БГУИР, 2003.

47

 

 

157

Исследование механизмов формирования объемных регулярных структур на поверхности кремния при воздействии импульсом компрессионной плазмы.

 

П.

Перспективные материалы. 2003, №5. – C.5-11.

6

Анищик В.М.

Углов В.В.

 

158

Surface morphology of the materials treated by Nitrogen compression plasma flows.

П.

International Conference “Plasma  Physics and Plasma Technology”, 2003, №5, Minsk. – p.629-632.

4

Anishchik V.

Uglov  V.

 

159

Элементы квантовой механики и статистической физики.

П.

Учебное пособие по курсу общей физики. – Мн.: БГУИР, 2004.

65

 

 

160

Materials surface modification using gwasi-stationare plasma accelerations.

П.

Surface and Coatings Technology, 180-181(2004).

5

V.M. Astaschynski, S.I.Ananin

 

161

Наноструктурные образования и покрытия, формирующиеся на поверхности материалов под воздействием компрессионных плазменных потоков.

П.

Нанотехнологии и фотонные кристаллы. Калуга – Москва, 2004.

5

В.М.Асташинский, С.И.Ананин

 

162

The formation of low-dimensional structures by  compressive plasma flows.

П.

Surface and Coatings Technology, 200(2005).

4

V.V.Uglov, V.M.Astashynski

 

163

Структура и состав покрытий, сформированных при обработке материалов компрессионным плазменным потоком.

П.

ФХОМ, №4, 2005.

5

В.В.Углов, В.М.Анищик

 

164

Nanostructured formations and Coatings created on the Surface of materials exposed to compression.

П.

Plasma flows Problems of Atomic Science  of Technology 2004, № 6.

5

V.M.Astaschynski, V.V.Uglov

 

165

Nanostructured formations and coatings seated on the surface of materials to compression plasma flows.

П.

Problems of Atom. Scien. And Techn. Series: Plasma Physics, 10 (2005).

7

V.M.Astaschynski, S.I.Ananin

 

166

Structure and morphology of Nanosized coating formed  on silicon by compression plasma flows.

 

П.

International  conference NANOMEETING-2005. Minsk, Belarus, 24-27 May, 2005.

4

V.M.Astaschynski, V.M.Anishchik

 

167

Deposition of  nanostructured  metal coatings on the modified silicon surfaces in the magnetoplasma compression.

 

П.

Vacuum, 78 (2005).

4

V.M.Astaschynski, S.I.Ananin

 

168

Механизм формирования монослойного наноструктурированного покрытия компрессионным плазменным потоком.

 

П.

Доклады БГУИР, №2(14) (2006).

9

А.Л.Данилюк, А.В.Пунько

 

169

Deposition of nanostructured metal coatings on modified silicon surfaces in magnetoplasma compressor

 

П.

 Inter Conf. Ion implantation and other applications of ions and electrons. Kazimirz Dolny, Poland, Iune 14-17, 2004.

1

N.N.Cherenda, V.M.Anishchik

 

170

Nanostructured formations and  coatings  created on the surface of materials exposed to compression plasma flows.

 

П.

Book abstracts of 10th International Conference and School on Plasma Physics and Controlled Fussion.-Alushta, Ukraine, September, 2004.

 

1

N.N.Cherenda, V.M.Anishchik

 

171

Механизм формирования многослойных наноструктурированных покрытий компрессионным плазменным потоком.

 

П.

Тез.докл. ХХХV Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. - М.: МГУ, 2005.

1

А.Л.Данилюк, В.В.Углов

 

172

Фазовые превращения в быстрорежущей стали при импульсной  плазменной обработке.

 

П.

Тез. доклада XXXIV  Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц  с кристаллами. М. МГУ, 2004.

1

В.М.Анищик, И.И.Углов,

 

173

Морфология поверхности Al и его сплавов после воздействия импульсами компрессионной плазмы.

П.

Тез. доклада XXXIV  Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц  с кристаллами. М. МГУ, 2004.

 

В.М.Анищик, И.И.Углов

 

174

Механизм формирования монослойного наноструктурированного покрытия компрессионным плазменным потоком.

 

П.

Тез. докл. XXXV международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 31 мая – 2 июня 2005 г.

 

1

А.Л.Данилюк, А.В.Пунько

 

175

Obtaining of silicon regular formations with nanostructured metal coatings on semiconductor wafers subjected to compression plasma flow.

 

П.

VI Serbian-Belarusian Symposium on Physics and Diagnostics of Laboratory & Astrophysical Plasma, Belgrade, 22-25 August 2006.

1

V.M.Astashynski, S.I.Ananin

 

176

Моделирование физических свойств сложных материалов, полученных при воздействии плотной компрессионной плазмы (теория перколяции и метод ренормгруппы).

 

П.

Тез. докл. XXXVI международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, М., 2006.

 

1

В.В.Углов,  А.В.Пунько

 

177

Periodic structures famed on the surface of silicon monocrystal treated by compression plasma flow.

 

П.

V International Conference “Plasma Physics and Plasma Technology”, Minsk, Belarus, 2006, p.p. 615-618.

4

V.M.Astaschynski, V.V.Uglov

 

178

Элементы памяти на квантовых точках дисилицида хрома.

П.

Материалы ХІ Международной конференции «Современные средства связи» 2006. с. 73.

1

А.В. Королев,

А.В. Андосенко

 

179

Императивы неклассической научной рациональности в контексте цивилизованной динамики глобализирующегося мира.

П.

ХХI Международные чтения «Великие преобразователи естествознания. М. Планк». Минск, БГУИР, 2006, с.76-80.

5

Н.К. Кисель

 

180

Проблема описания равновесного теплового излучения и ее решение М. Планком.

П.

ХХI Международные чтения «Великие преобразователи естествознания. М. Планк». Минск, БГУИР, 2006, с.81-89.

9

Ю.И. Савилова

 

181

Моделирование физических свойств сложных материалов методом ренормализационной группы.

 

П.

Доклады БГУИР, № 1 (17), 2007, с.73-78.

6

А.В. Пунько,

 В.М. Асташинский

 

182

Постоянная Планка и волновая механика.

П.

Доклады БГУИР, № 3 (19), 2007,

с. 161-164.

4

 

 

183

Периодические структуры, сформированные на поверхности монокристаллического кремния при воздействии компрессионной плазмы.

П.

Доклады БГУИР,  № 4 (20), 2007,

с.101-107.

7

Ю.Г. Шедко,

В.В. Углов

 

184

Структурные превращения в кремнии и оценка остаточной деформации при ионной имплантации примеси.

П.

Доклады БГУИР, №1 (31) 2008,

с. 82-86.

5

Л.В. Сологуб

 

185

Лекции по физике.

П.

Изд-во БГУИР, Минск, 2006.

166

 

 

186

Университетская эдуколокия в контексте информатизации современного общества.

П.

Тез. докл. ХХ Международных чтений «Великие преобразователи естествознания. Жорес Алферов». Минск, БГУИР, 2004, с.42-44.

3

Н.К. Кисель

 

187

Структурные изменения в системе никель–кремний в результате воздействия  высокоэнергетических плазменных потоков.

 

П.

Тез. доклада XXXVII   Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. – 2007, Москва, с.164.

1

В.В. Углов,

Ю.А. Петухов

 

188

Силицидообразование в системе никель–кремния, подверженной  воздействию высокоэнергетических плазменных потоков.

 

П.

 International Conference NEET, Zakopane, Poland, 2007, p.12-15.

4

В.В. Углов,

 В.М. Анищик

 

189

Deposition of nanostructured tungsten-based films on the steel surface by compression plasma flows.

 

П.

International conference NANOMEETING 2007, Minsk, Belarus, p. 483-486.

4

V.V. Uglov,

 N.N.  Cherenda

 

190

Модификация системы титан–кремний компрессионным плазменным потоком.

 

П.

Сб. трудов 5-ой Всероссийской НТК «Быстрозакаленные материалы и покрытия» –  Москва,  2007 г., с.332-338.

 

7

В.В. Углов,

Н.Н. Черенда

 

191

Модификация материалов компрессионными плазменными потоками.

П.

Тез. докл. 6-й Международной конференции «Ядерная и радиационная физика», 2007, Алматы, Казахстан, с. 329-330.

2

В.В.Углов,

Н.Н. Черенда

 

192

Легирование алюминия под действием компрессионных плазменных потоков.

П.

Материалы II Международной НТК конференции «Современные методы и технологии создания и обработка материалов, 2007, Минск, Беларусь, с. 64-66.

3

В.В.Углов,

Н.Н. Черенда

 

193

О сущности открытого М. Планком принципа квантования.

П.

Материалы Республиканской научно-педаго-гической конференции «Физика в технической высшей научной школе: концепции и комплексные подходы. 2007, с.38.

1

Ю.И. Савилова

 

194

Осаждение наноструктурированной пленки на поверхность стали под действием компрессионных плазменных потоков.

 

П.

Материалы VII Международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, 2007, с 341-343.

3

В.В. Углов,

В.В. Понарядов

 

195

Структура и фазовый состав системы никель–кремний при плазменной обработке.

 

П.

Там же с.50-53.

4

Ю.А.Петухов,  Ю.Г. Шедко.

 

196

О структуре электромагнитного поля и его взаимодействии с веществом.

П.

Доклады БГУИР, № 2 (32), 2008,  с.134-136.

3

 

 

197

Модификация структурно-фазового состояния систем железо-кремний компрессионным плазменным потоком.

 

П.

Труды 6-й Всероссийской научно-техничес-кой конференции

«Быстрозакаленные материалы и покрытия», 2007 Москва, с. 309-315.

6

В.В. Углов,

Ю.А. Петухов

 

198

Comprehensive  modification of semiconductors and metals providing new stvuctural features of surface layers subyected to cjmpression plazma flows.

П.

Nigt Temperture Material Processes.  2007, Volume 11,  Jssue 4,   p.  605-615.

11

V.M. Astashynski,

 S. I.  Ananin

 

199

Формирование наноструктур в системе никель-кремний, подвергнутой воздействию компрессионного плазменного потока.

 

П.

Материалы  Первой международной научной конференции « Наноструктурные материалы – 2008», «Нано- 2008» Минск, 22-25 апрель 2008 г. с. 123.

1

В.В. Углов,

Ю.А. Петухов

 

200

Модификация структурно-фазового состояния системы титан-кремний компрессионным плазменным потоком.

 

П.

Тезисы докл. ХХХVIII международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц  с кристаллами. Москва, 2008, с.137.

1

В.В. Углов,

Ю.А. Петухов

 

201

Неустойчивость Кельвина-Гельм-гольца при взаимодействии компресионной плазмы с веществом.

П.

Там же стр. 138.

1

В.М. Анищик,

В.М. Асташинский

 

202

Цилиндрические структуры на кремнии при обработке плазмой.

П.

SCT. 2004, Vol.180-181, p.392-395.

4

V.M. Astashynski,

 S. I.  Ananin

 

203

Модификация материалов компрессионными плазменными потоками.

 

П.

Материалы IX Международной конференции по модификации материалов пучками частиц и потоками плазмы. Томск, Россия, 2008, с.153-157.

5

В.В. Углов,

Н.Н. Черенда

 

204

Рэлеевские упругие волны для оценки уровня деформации в ионно-легированном кремнии.

 

П.

В  сб. Международной научно-практической конференции IT-2008. Гродно, ГГУ им. Я. Купалы, с.82-89.

8

Л.В. Сологуб

 

205

Неустойчивость Кельвина-Гельмгольца при взаимодействии компрессионной плазмы с веществом.

 

 

П.

ФХОМ, 2008, № 5, с.27-34.

8

В.В. Углов,

Ю.Г. Шедко

 

206

Структурно-фазовое состояние системы титан — кремний, обработанной компрессионными плазменными потоками.

П.

 ФХОМ, 2008, № 6, с.32-36.

5

В.В. Углов,

Ю.Л. Петухов

 

207

Структура и фазовый состав системы цирконий – кремний, обработанных компрессионным плазменным потоком.

 

П.

Труды ХVIII Международного совещания «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 2008, с.621-625.

5

В.В. Углов,

Ю.Л. Петухов

 

208

Embodiment of surface plasma Metallurgy by compression plasma flows action metals.

 

П.

International Conference – School on Plasma  Physics and Controlled Fusion.  Alushta (Crimea),Ukraine,  2008, Book of Abstracts, p.149-152.

4

V.M. Astashynski,

 N.N. Cherenda

 

209

Structure-phase transformations of the system “metal coating-silicon” modified by the action of compression plasma flows.

 

 

П.

International Conference-School on Plasma Physics and Controlled Fusion and 3-rd  Alushta International Workshop on the Role Electric Fields in Plasma Confinement in Stellarators and Tokamaks. Alushta (Crimea),Ukraine, 2008. Book of Abstracts, p.156-158.

3

V.V. Uglov,

V.M. Astashinski

 

210

К вопросу об изложении основ квантовой теории в курсе общей физики.

 

П.

Сб. тез. докл. научно-методи-ческой школы-семинара «Физика в системе интегрального образования стран ЕВРАЗЭС, МАИ, Москва, 2008, с.178-180.

 

 

 

 

 

3

Ю.И. Савилова

 

211

И.В. Курчатов и его время.

 

П.

В сб. трудов «ХХП Международные чтения «Великие преобразователи естествознания. И.В. Курчатов», 2008, Мн., БГУИР, с.177-179.

3

Ю.И. Савилова