Версия для слабовидящих
Рус Бел Eng De Cn Es
Лаборатории и центры
Лаборатории и центры

          

         Кафедра располагает уникальной учебно-исследовательской базой. За кафедрой закреплено 15 помещений в двух корпусах факультета радиофизики и электроники общей площадью порядка 700 м2 и 12 помещений в НИИ ПФП. Обучение студентов проводится на базе пяти учебных лабораторий кафедры физической электроники и нанотехнологий, двух лабораторий спектрального контроля в плазменной технологии, лаборатории лазерно-плазменных методов обработки материалов,  НИЛ материалов и приборных структур микро- и наноэлектроники БГУ, СНИЛ нанотехнологий и компьютерного моделирования. Для проведения учебного процесса, выполнения курсовых и дипломных работ кафедра также использует уникальное оборудование лаборатории элионики НИИ ПФП и Центра коллективного пользования Нанотехнологий и физической электроники.

На кафедре физической электроники и нанотехнологий функционируют:

  • НИЛ материалов и приборных структур микро- и наноэлектроники со штатом из 4-х  сотрудников, из них два кандидата наук.Зав. лабораторией - к.ф.-м.н. Власукова Л.А.
  • студенческая научно-исследовательская лаборатория нанотехнологий и компьютерного моделирования. Научный руководитель – проф. Комаров Ф.Ф.
  • Исследовательско-технологический центр коллективного пользования "Нанотехнологий и физической электроники" Научный руководитель – проф. Комаров Ф.Ф 

Исследовательско-технологический центр коллективного пользования "Нанотехнологий и физической электроники"

         Создан в 2003 году на базе факультета радиофизики и электроники и НИИ ПФП имени А.Н. Севченко при Белорусском государственном университете Министерства образования Республики Беларусь.
        Научный руководитель – доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент НАН Беларуси Комаров Фадей Фадеевич.
         Аттестован и аккредитован Комиссией ГКНТ Республики Беларусь  30.11.2005 г.
        Кадровый состав: численность Центра - 20 сотрудников, в том числе 8 штатных сотрудников, 10 совместителей из числа профессорско-преподавательского состава и научных сотрудников факультета радиофизики и компьютерных технологий; 2 инженерно-технических работника. 3 сотрудника Центра имеют ученую степень доктора физико-математических наук, 9 – кандидатов наук.
Главные направления исследований:
    • ионно-лучевое легирование материалов в диапазоне энергий 5÷2500 кэВ;
    • нанесение слоев металлов, полупроводников и диэлектриков толщиной от 1 нм до 10 мкм плазменными, ионно-плазменными, ионно-ассистируемыми, лазерными методам и методом лазерной фотохимии;
    • формирование наноструктурированных систем в полупроводниках, металлах и диэлектриках из пересыщенных твердых растворов созданных высокодозной ионной имплантацией и методами планарной технологии;
    • лазерная обработка оптически прозрачных материалов и пластмасс;
    • количественный неразрушающий анализ по глубине объекта с помощью обратного резерфордовского рассеяния ОРР и выхода характеристического рентгеновского излучения (PIXE);
    • неразрушающий анализ распределения дефектов структуры по глубине объекта методом ОРР с каналированием ионов;
    • определение местоположения дефектов и примесных атомов в элементарной ячейке кристалла;
    • измерение электрофизических и оптических характеристик твердотельных объектов;
    • измерение вольтамперных (I – V), вольтфарадных (C – V) характеристик и DLTS-спектрометрия полупроводниковых материалов, структур и приборов нано- и микроэлектроники;
    • трибомеханические испытания материалов (микротвердость, износ и коэффициент трения);
    • фазовый и структурный анализ материалов просвечивающей электронной микроскопией и cross-section электронной микроскопией.
Перечень основных методик измерений:
    • методики анализа структуры, типа дефектов и элементного состава по глубине объектов методом ОРР с каналированием ионов;
    • методика прецизионного элементного анализа по выходу вторичного рентгеновского излучения, возбуждаемого ионами (PIXE);
    • методики просвечивающей электронной микроскопии и электронной дифракции;
    • методика подготовки материалов для просвечивающей и cross-section электронной микроскопии;
    • методика cross-section электронной микроскопии;
    • методика контроля тонких и сверхтонких слоев материалов методом лазерной элипсометрии;
    • методики измерений электрофизических параметров материалов и приборных структур (I – V, C – V, холловские измерения);
    • методика нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS);
    • методики контроля оптических характеристик материалов и приборных структур (ИК-спектроскопия, рамановская спектроскопия);
    • методики контроля адгезии и трибомеханических свойств;
    • методика определения местоположения атомов в элементарной ячейке кристалла по каналированию ионов;
    • методика элементного анализа по глубине объектов методом OPP с электростатическим анализатором с разрешением по глубине 1 нм;
    • методика создания объемных изображений внутри прозрачных материалов.
Основное научное оборудование (характеристики)
    • Камера рентгеновская VHR-2 «Photonic Sciеnce»;
    • Микроскоп электронный ЭМ-125;
    • Ускоритель частиц АN–2500 HVE;
    • Ускоритель частиц ЭСУ-2;
    • Система препарирования образцов электронной микроскопии;
    • Просвечивающий электронный микроскоп Hitachi H-800;
    • Установка для быстрого термического отжига «JETFIRST 100»;
    • Измерительный спектроскопический комплекс RAMANOR U-1000;
    • Лазерная технологическая система 4001194 ELS-02М;
    • Лазер LS-2134D с системой контроля параметров излучения и программным управлением.
    • Аппаратно-программный комплекс для измерений электромагнитных излучений
    • Цифровой запоминающий осциллограф с технологией цифрового люминофора Tektronix DPO7254С
    • Анализатор электромагнитной совместимости с измерительной антенной и программным обеспечением

© Белорусский государственный университет
Адрес: пр. Независимости, 4, 220030, г. Минск, Республика Беларусь.
Тел. + 375 17 209 50 44. Факс. + 375 17 226 59 40. Url: .